GS6102SP-R 12V单路同步降压控制器
GS6106SP-R 5V/19V单同步降压控制器
华英半导体 渠道 原装 有需要请联系:邵先生、/
GS6106是一个高频MOSFET驱动器,专门设计用于驱动上部和下部功率N沟道MOSFET的同步整流降压转换器拓扑。这些驱动程序的多相降压PWM控制器和N-沟道MOSFET结合形成微处理器的完整的电压稳压器解决方案
集成了的自适应击穿保护,同时高端和低端MOSFET同时导通,并尽量减少区时间。 GS6106添加过电压保护功能的正常运行,才能VCC过它的导通阈值。过温保护功能,故障导致功耗过大的MCU时,它的结温过+150°C(典型值)。 GS6106还配备了一个三态PWM输入,多相位PWM控制器一起工作负瞬态上的输出电压,当输出被关闭。该特性省去了肖特基二管,并在一些系统中使用用于保护负载从逆转的输出电压。该解决方案是基于英特尔™DrMOS规范修订版3.0。
特点
- 内置功率MOSFET的27V输入,适用于低输出电压应用
- 具有三态PWM信号兼容
- 输出持续电流为30A(MAX:35A)
- 开关频率1MHz
- 快速上升/下降时间和较低的传播延迟
- 低侧驱动器控制
- 内置的5 V稳压器
- 内置欠压锁定
- 内置自举开关
- 内部过温保护
- TQFN16-3X3封装
- 绿色产品(合RoHS,无铅,无卤素合)
应用
- 高功率密度DC / DC转换器
- 高频率和率DC / DC转换器