韩国汉半SOC原装 6363贴片 光固化365-395nm紫光 （十）
主要参数：
正向电流 Forward Current | :500MA | 可在500MA之间正常驱动使用 |
| 正向电压 Forward Voltage | :3.8-4.2V | 电压范围0.2V 每档细分 |
| 输出功率 Optical output power (mW) | :330-900MW | 功率范围100mW 每档细分 |
| 波长 Wavelength λρ(nm) | :365-405NM | 波长范围10nm 每档细分 |
产品性能：
波长准，能量高，光衰低，光效好，光色均匀。采用倒装工艺，简化了生产流程，大幅灯珠导热效果，使之散热，减少热量堆积对灯珠部件造成的损伤，从而灯珠的整体寿命。
温馨提示，为了使我司产品发挥性能及减少客户使用产品过程中出现故障，请注意：
1）紫外LED贮存条件：温度10℃～26℃，湿度40%～65%，包装袋密封保存；
2）使用的整个过程与紫外LED直接接触的人员都要做好和消除静电措施，切勿直接用手触摸紫外发光二管；
4）生产前检查机台设备接地线是否正常，作业台面要求铺好静电胶布，胶布之间应互相连接并接地；
5）焊接时，要注意焊接时间，焊接温度，另外正负性要分清；
6）电流电压等电气参数不能过额定参数值。
焊接大功率紫外LED时需要注意：
1)焊接时间不能过3S；
2)焊接温度要≤260度；
3)回流焊接只允许焊1次；
4)焊接时，分清正负性，注意避开透镜，以损坏透镜；
5)做好散热措施，是大功率UVLED尽量散热器面积；
6)为使紫外发光二管寿命更长，建议使用较稳定的恒流驱动电流或IC，而不要采用恒压驱动电源或IC。
封装芯片注意事项：
静电会损伤晶粒，因此在制造过程需有静电护。下面的例子可以帮助芯片免于静电击伤：
1）设备均需适当接地；
2）作业人员在接触芯片时均需配戴静电环；
3）在晶粒翻转与其它制程中，需使用离子风扇来避免晶粒受到静电击伤；
4）建议在封装内加上保护组件，如齐纳二管。
