T883B 静电放电模拟器
(HBM/MM/CDM,0~±20kV)
二管、三管和IC的HBM/MM/CDM D测试
(电子元器件静电放电敏感度分类试验)
一、概述
二管、三管和集成电路等电子元器件静电放电敏感度要用国际水平的T883静电放电模拟器,它是是专门为测量元器件的静电放电模拟器,它输出电压范围宽(0~±20kV),高(1%),分辨率高(10V),其输出电压和波形合以下国际和标准:
美国标准MIL-STD-883E/F方法3015、MIL-STD-750 方法1020、MIL-PRP-19500、 MIL-PRP-38535
军标G548A-97方法3015 微电子器件试验方法和程序 静电放电敏感度分类标准要求(等同于美国军标MIL-STD-883E)
军标G1649-93电子产器静电放电控制大纲
军标 G128A 半导体分立器件试验方法 静电放电敏感度分类
国际D协会标准ANSI/D STM 5.1-2001, ANSI/DSTM 5.2-2001,ANSI/D STM 5.3-2001
美国标准、MIL-STD-750和IEC747-1
T883B静电放电模拟器,测试能力:2~2400pins 从二管、三管到各种IC,技术和器件从美国引进,使您不但能得到技术水平或国际水平的静电放电模拟器,还能得到国际iNARTE(原美国NARTE)静电与电磁兼容咨询(Profsional EMC/D Consultant)提供的技术咨询和技术支持,是国内外目前性能价格比和技术支持优的静电放电模拟器。
二、技术指标
测试能力:2~2400pins 从各类(发光)二管、三管到各种IC,内置试验板(IC ttboard)
放络:
HBM MM CDM 合标准
储能电容/
放电电阻R(注) 100 pF/1500 Ω (HBM) 200pF/0Ω (MM) DA/JEDECMIL/DA/JEDEC/JEITA
充电电阻(注): 106~107Ω
输出电压: 0 ~ ±20KV(标称值)连续可调
模拟器内置4个级别试验电压
输出电压示值的容许偏差: <±1% (0~ ±20KV)
输出电压稳定性: 0.5% (24小时)
电压显示:3 1/2位发光管时显示,电压显示分辨率:10V
输出电压性:正和负性(可带电直接切换)
放电电流波形:
Tri(上升时间):小于10ns
Tdi(衰减时间):150±20ns
Ip(峰值电流):见表1中所选电压等级对应的Ip±10%内
Ir(振荡电流):小于Ip的15%,脉冲100ns后观察不到
HBM MM CDM
(MIL-STD-883E和G548A-97 方法3015)
放电操作方式:手动单次放电,自动连续:1~10秒连续可调
工作环境: 温度5-40℃;相对湿度20-80%,无凝露;气压68-106kPa
供电: AC85V~260V, 50/60Hz
(注)可根据用户订做其它模型如机器模型(MM)或其它要求模型的储能电容、放电电阻和充电电阻要求的静电放电模拟器
三、技术支持与服务:
本产品采用美国技术,中美国国际项目合作多年的新成果,优化电路设计和改进各国静电发生器、关键器件,质量、几十年的静电仪器开发积累的经验和技术,我们对T系列产品提供 的技术支持与优的服务:
保修叁年, 维修,维修周期2-7天,让您使用放心;
提供每年在上海、北京和深圳的静电技术培训1人次 ; (见:近培训活动)
提供相关标准GB和标准G的技术咨询;
提供国外标准如IEC,DA, MIL相关标准的技术咨询;
美国NARTE静电长期提供相关技术咨询,使您得到科学准确的技术支持,为您解决实际D问题,使您的产品能顺利通过D试验
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