仪器简介：
高效率微粒表面沉积系统包括先进的气溶胶雾化发生、静电分离及沉积技术，用于产生可溯源NIST的PSL球及加工过程颗粒沉积在晶片表面的标准晶片，用于研究不同折射稀疏对晶片检测系统的影响并标定检测系统，也可用于评价晶片干法/湿法清洗系统的性能。
技术参数：
颗粒沉积粒径：
标准单DMA：0.08 – 1.0 µm
可选双DMA：0.03 – 3.0 µm
主要特点：
通过DMA技术去处双颗粒、三颗粒及其它杂质颗粒，使之不能沉积在芯片表面；
DMA测量经过温度及压力补偿、使得产生可溯源NIST的PSL球标准芯片；
符合CE Mark、SEMI S2/S8/S14等亚洲、欧洲及美国规范要求；
通过DMA沉积单一粒径颗粒于芯片表面；
4个内置超声波雾化发生器产生稳定、高浓度的气溶胶；
每个芯片表面可沉积8个沉积点；
高效率微粒表面沉积系统包括先进的气溶胶雾化发生、静电分离及沉积技术，用于产生可溯源NIST的PSL球及加工过程颗粒沉积在晶片表面的标准晶片，用于研究不同折射稀疏对晶片检测系统的影响并标定检测系统，也可用于评价晶片干法/湿法清洗系统的性能。
技术参数：
颗粒沉积粒径：
标准单DMA：0.08 – 1.0 µm
可选双DMA：0.03 – 3.0 µm
主要特点：
通过DMA技术去处双颗粒、三颗粒及其它杂质颗粒，使之不能沉积在芯片表面；
DMA测量经过温度及压力补偿、使得产生可溯源NIST的PSL球标准芯片；
符合CE Mark、SEMI S2/S8/S14等亚洲、欧洲及美国规范要求；
通过DMA沉积单一粒径颗粒于芯片表面；
4个内置超声波雾化发生器产生稳定、高浓度的气溶胶；
每个芯片表面可沉积8个沉积点；
