磁控溅射领域新突破,实现磁控溅射方式的变革,为磁控溅射增添新的发展空间,是磁控溅射方式的新探索。
技术参数:
磁控溅射系统
4-6个磁控靶台
DC源
RF源
Ar气气氛控制
真空度10^-10Torr
1"-4" Substrate
主要特点:
超高真空磁控溅射
全部配备国外先进泵组保证稳定的真空
稳定工作状态
实现磁控溅射方式的分子级薄膜生长
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010-51582312
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磁控溅射系统
4-6个磁控靶台
DC源
RF源
Ar气气氛控制
真空度10^-10Torr
1"-4" Substrate