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YDK322-IIB压力传感器
YDK322-IIB系列恒流供电隔离膜硅压阻式压力传感器芯体的是一个扩散硅压敏元件,被测介质压力(或压差)通过隔离膜片硅油传递到硅桥片,利用扩散硅的压阻效应原理,实现测量液体、气体压力大小的目的。该传感器采用ISO技术封装,具有很高的可靠性、重复性和稳定性。
一、压力传感器技术参数
输入激励:1.5mA
输入阻抗:3kΩ~6kΩ
输出阻抗:2.5kΩ~6kΩ
绝缘电阻:≥
被测介质兼容性:与
响应时间:≤1ms(10%~90%)
二、压力传感器性能参数
参数 |
量程 |
典型值 |
值 |
单位 | |
非线性 |
0~5kpa ~1MPa |
±0.15 |
±0.3 |
%F.S | |
重复性/迟滞 |
0.02 |
0.05 |
%F.S | ||
零位输出 |
0±1 |
0±2 |
mVDC | ||
满量程输出 |
100±10 50±10(<10Kpa) |
100±30 50±30(<10Kpa) |
mVDC | ||
零位温度误差 |
±0.5 |
±1 ±0.8(350Kpa~1Mpa) |
%F.S | ||
满量程温度误差 |
±0.5 |
±1 ±0.8(350Kpa~1Mpa) |
%F.S | ||
过载压力 |
3倍满量程或100Mpa(取两者较小压力值) | ||||
温度补偿范围 |
0~70 |
℃ | |||
工作温度范围 |
-20~80 |
℃ | |||
贮存温度范围 |
-40~125 |
℃ | |||
以上参数测试条件:供电1.5mADC,室温
工作原理
半导体压电阻抗扩散压力传感器是在薄片表面形成半导体变形压力,通过外力(压力)使薄片变形而产生压电阻抗效果,从而使阻抗的变化转换成电信号。
静电容量型压力传感器,是将玻璃的固定极和硅的可动极相对而形成电容,将通过外力(压力)使可动极变形所产生的静电容量的变化转换成电气信号。(E8Y的动作原理便是静电容量方式,其他机种采用半导体方式)。
扩散硅压力传感器原理及应用
被测介质的压力直接作用于传感器的膜片上(不锈钢或陶瓷),使膜片产生与介质压力成正比的微位移,使传感器的电阻值发生变化,和用电子线路检测这一变化,并转换输出一个对应于这一压力的标准测量信号。
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