- 厂家:FairchildSemiconductor
- 封装:TO-220F
- 批号:2010+
- 数量:30000
描述 | MOSFET N-CH 600V 12A TO-220F |
RoHS | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品培训模块 | High Voltage Switches for Power Processing |
标准包装 | 50 |
类别 | 分离式半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | QFET™ |
FET 型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 特点 | 标准型 |
漏极至源极电压(Vdss) | 600V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 12A |
开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C | 650 毫欧 @ 6A,10V |
Id 时的 Vgs(th)() | 4V @ 250µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 63nC @ 10V |
输入电容 (Ciss) @ Vds | 2290pF @ 25V |
功率 - | 51W |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
供应商设备封装 | TO-220F |
包装 | 管件 |
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