- 厂家：FairchildSemiconductor
- 封装：TO-220F
- 批号：2010+
- 数量：30000
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 12A TO-220F |
| RoHS | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品培训模块 | High Voltage Switches for Power Processing |
| 标准包装 | 50 |
| 类别 | 分离式半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | QFET™ |
| FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 | 标准型 |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 12A |
| 开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C | 650 毫欧 @ 6A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（） | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 63nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 2290pF @ 25V |
| 功率 - | 51W |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
| 供应商设备封装 | TO-220F |
| 包装 | 管件 |
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