特价SIA417DJ-T1-GE3，原厂生成，SIA417DJ-T1-GE3分离式半导体产品原装现货
- 特色产品：MOSFETs Designed for On-Resistance Ratings at 1.2 V
- 标准包装：3,000
- 家庭：FET - 单
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参考价格
- 数量单价USD批量价USD
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产品属性
| 特色产品 | MOSFETs Designed for On-Resistance Ratings at 1.2 V | 标准包装 | 3,000 |
|---|---|---|---|
| 类别 | 分离式半导体产品 | 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | - | FET 型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 | 标准型 | 漏极至源极电压(Vdss) | 8V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 12A | 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 23 毫欧 @ 7A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 1V @ 250µA | 闸电荷(Qg) @ Vgs | 32nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 1600pF @ 4V | 功率 - 最大 | 19W |
| 安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | PowerPAK? SC-70-6 |
| 供应商设备封装 | PowerPAK? SC-70-6 单 | 包装 | 带卷 (TR) |
| 其它名称 | SIA417DJ-T1-GE3TR |
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