SI8409DB-T1-E1分离式半导体产品，现货供应SI8409DB-T1-E1 接受批量订货
- 数据列表：SI8409DB
- 标准包装：3,000
- 家庭：FET - 单
参考价格
- 数量单价USD批量价USD
- 15000$0.408
- 3000$0.448
- 30000$0.3968
- 6000$0.4256
- 75000$0.384
产品属性
| 数据列表 | SI8409DB | 标准包装 | 3,000 |
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| 类别 | 分离式半导体产品 | 家庭 | FET - 单 |
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| 系列 | TrenchFET® | FET 型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
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| FET 特点 | 逻辑电平门 | 漏极至源极电压(Vdss) | 30V |
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| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 4.6A | 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 46 毫欧 @ 1A，4.5V |
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| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 1.4V @ 250µA | 闸电荷(Qg) @ Vgs | 26nC @ 4.5V |
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| 输入电容 (Ciss) @ Vds | - | 功率 - 最大 | 1.47W |
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| 安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | 4-XFBGA，CSPBGA |
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| 供应商设备封装 | 4-Microfoot | 包装 | 带卷 (TR) |
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| 其它名称 | SI8409DB-T1-E1TR | | |
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