SI5935DC-T1-E3 原厂直供，特价SI5935DC-T1-E3，主营 品牌分离式半导体产品
产品属性
| 数据列表 | SI5935DC | 标准包装 | 3,000 |
|---|---|---|---|
| 类别 | 分离式半导体产品 | 家庭 | FET - 阵列 |
| 系列 | TrenchFET® | FET 型 | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 特点 | 逻辑电平门 | 漏极至源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 3A | 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 86 毫欧 @ 3A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 1V @ 250µA | 闸电荷(Qg) @ Vgs | 8.5nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | - | 功率 - 最大 | 1.1W |
| 安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | 8-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装 | 1206-8 ChipFET? | 包装 | 带卷 (TR) |
| 其它名称 | SI5935DC-T1-E3TR |
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