SI5515CDC-T1-E3 原装现货供应,环保现货SI5515CDC-T1-E3价格优惠
参考价格
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产品属性
标准包装 | 3,000 | 类别 | 分离式半导体产品 |
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家庭 | FET - 阵列 | 系列 | TrenchFET® |
FET 型 | N 和 P 沟道 | FET 特点 | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss) | 20V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 4A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 36 毫欧 @ 6A,4.5V | Id 时的 Vgs(th)(最大) | 800mV @ 250µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 11.3nC @ 5V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 632pF @ 10V |
功率 - 最大 | 3.1W | 安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-SMD,扁平引线 | 供应商设备封装 | 1206-8 ChipFET? |
包装 | 带卷 (TR) |
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