SI2333DS-T1-E3分离式半导体产品，现货供应SI2333DS-T1-E3 接受批量订货
- 数据列表：SI2333DS
- 标准包装：3,000
- 家庭：FET - 单
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参考价格
- 数量单价USD批量价USD
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- 150000$0.186
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- 30000$0.19375
- 6000$0.20925
- 75000$0.19065
产品属性
| 数据列表 | SI2333DS | 标准包装 | 3,000 |
|---|---|---|---|
| 类别 | 分离式半导体产品 | 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | TrenchFET® | FET 型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 | 逻辑电平门 | 漏极至源极电压(Vdss) | 12V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 4.1A | 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 32 毫欧 @ 5.3A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 1V @ 250µA | 闸电荷(Qg) @ Vgs | 18nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 1100pF @ 6V | 功率 - 最大 | 750mW |
| 安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装 | SOT-23-3（TO-236） | 包装 | 带卷 (TR) |
| 其它名称 | SI2333DS-T1-E3TR |
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