SI2319DS-T1-E3分离式半导体产品，现货供应SI2319DS-T1-E3 接受批量订货
- 数据列表：SI2319DS
- 标准包装：3,000
- 家庭：FET - 单
参考价格
- 数量单价USD批量价USD
- 15000$0.247
- 150000$0.228
- 3000$0.2755
- 30000$0.2375
- 6000$0.2565
- 75000$0.2337
产品属性
| 数据列表 | SI2319DS | 标准包装 | 3,000 |
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| 类别 | 分离式半导体产品 | 家庭 | FET - 单 |
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| 系列 | TrenchFET® | FET 型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
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| FET 特点 | 逻辑电平门 | 漏极至源极电压(Vdss) | 40V |
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| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 2.3A | 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 82 毫欧 @ 3A，10V |
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| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 3V @ 250µA | 闸电荷(Qg) @ Vgs | 17nC @ 10V |
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| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 470pF @ 20V | 功率 - 最大 | 750mW |
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| 安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
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| 供应商设备封装 | SOT-23-3（TO-236） | 包装 | 带卷 (TR) |
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| 其它名称 | SI2319DS-T1-E3TR | | |
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