IPD26N06S2L-35 原厂直供，特价IPD26N06S2L-35，主营 品牌分离式半导体产品
- 数据列表：IPD26N06S2L-35
- 标准包装：2,500
- 家庭：FET - 单
参考价格
- 数量单价USD批量价USD
- 2500$0.26926
产品属性
| 数据列表 | IPD26N06S2L-35 | 标准包装 | 2,500 |
|---|---|---|---|
| 类别 | 分离式半导体产品 | 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | OptiMOS™ | FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 | 逻辑电平门 | 漏极至源极电压(Vdss) | 55V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 30A | 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 35 毫欧 @ 13A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 2V @ 26µA | 闸电荷(Qg) @ Vgs | 24nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 621pF @ 25V | 功率 - 最大 | 68W |
| 安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装 | PG-TO252-3 | 包装 | 带卷 (TR) |
| 其它名称 | SP000252165 |
