IPD090N03LG分离式半导体产品，现货供应IPD090N03LG 接受批量订货
- 数据列表：IP(D,F,S,U)090N03L G
- 标准包装：2,500
- 家庭：FET - 单路
参考价格
- 数量单价USD批量价USD
- 12500+$0.2396
- 125000+$0.2212
- 2500+$0.2672
- 25000+$0.2304
- 5000+$0.2488
- 62500+$0.2267
产品属性
| 数据列表 | IP(D,F,S,U)090N03L G | 标准包装 | 2,500 |
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| 类别 | 分离式半导体产品 | 家庭 | FET - 单路 |
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| 系列 | OptiMOS™ | FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
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| FET 特点 | 逻辑电平门 | 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 9 毫欧 @ 30A, 10V |
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| 漏极至源极电压(Vdss) | 30V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 40A |
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| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 2.2V @ 250µA | 闸电荷(Qg) @ Vgs | 15nC @ 10V |
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| 在 Vds 时的输入电容(Ciss) | 1600pF @ 15V | 功率 - 最大 | 42W |
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| 安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | TO-252-3, DPak (2 引线+接片), SC-63 |
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| 供应商设备封装 | PG-TO252-3 | 包装 | 带卷 (TR) |
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| 其它名称 | IPD090N03LGINTR IPD090N03LGXT SP000236950 | | |
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