Fairchild Semiconductor FDR858P分离式半导体产品，现货供应FDR858P 接受批量订货
产品属性
| 标准包装 | 3,000 | 类别 | 分离式半导体产品 |
|---|---|---|---|
| 家庭 | FET - 单 | 系列 | - |
| FET 型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 | FET 特点 | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 30V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 19 毫欧 @ 8A，10V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 30nC @ 5V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 2010pF @ 15V |
| 功率 - 最大 | 900mW | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SSOT，SuperSOT-8 | 供应商设备封装 | 8-SSOT |
| 包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | FDR858P-NDFDR858PTR |
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