Fairchild Semiconductor FDR8305N分离式半导体产品,现货供应FDR8305N 接受批量订货
产品属性
标准包装 | 3,000 | 类别 | 分离式半导体产品 |
---|---|---|---|
家庭 | FET - 阵列 | 系列 | - |
FET 型 | 2 个 N 沟道(双) | FET 特点 | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss) | 20V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 4.5A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 22 毫欧 @ 4.5A,4.5V | Id 时的 Vgs(th)(最大) | 1.5V @ 250µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 23nC @ 4.5V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 1600pF @ 10V |
功率 - 最大 | 800mW | 安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-SSOT,SuperSOT-8 | 供应商设备封装 | 8-SSOT |
包装 | 带卷 (TR) |
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