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IR原装MOS —— IRFB260N

价 格: 面议
品牌/型号:IR美国国际整流器公司/IRFB260N
种类:绝缘栅MOSFET
用途:SW-REG/开关电源
封装外形:CER-DIP/陶瓷直插
开启电压:4(V)
跨导:29000(μS)
极间电容:4220(pF)
漏极电流:56000(mA)
耗散功率:380000(mW)
沟道类型:N沟道
导电方式:增强型

 •导通电阻:RDS(on) = 0.04Ω

 •封装形式:TO-220AB

 •VDS=200V

 •ID=56A   @TC=25°C

 •PD=380W    @TC=25°

 •工作温度范围: -55 ~ 175°C

 

 

上海贝臣电子有限公司
公司信息未核实
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信息内容:

功率MOS:1000V,3.1A •无铅封装•封装形式:TO-220•导通电阻RDS(ON)=5.0Ω•耗散功率(MAX):125W•工作温度范围:-55 ~ 150°C•开启延迟时间:12ns•关断延迟时间:89ns

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•导通电阻:RDS(on) = 0.1Ω •封装形式:TO-220AB •VDS=200V •ID=18A @TC=25°C •PD=100W @TC=25° •工作温度范围: -55 ~ 175°C

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