场效应晶体管简称场效应管，是应用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件，它属于电压控制型半导体器件。
场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管，而MOS场效应晶体管义分为N沟耗尽型和加强型、P沟耗尽型和加强型四大类。
结型场效应管应该如何检测呢？结型场效应管的外形、结构及符号如下图所示，三个电极分别为栅极G、源极S、漏极D。国产N沟道管典型产品有3DJ2、3DJ4. 3DJ6、3DJ7，P沟道管有CSl - CS4，应用指针式万用表R Xl00挡能够断定结型场效应管的各个电极。
结型场效应管的栅极相当于晶体管的基极，源极和漏极分别对应于晶体管的发射极和集电极．如下图所示，将万用表置于RXlk挡，用两表笔分别测量每两个管脚间的正、反向电阻．当某两个管脚间的正、反向电阻相等，均为数千欧时，则这两个管脚为漏极D和源极s（对结型场效应管而言，漏极和源极可互换，且并不影响电路的正常工作，所以不用加以辨别），余下的一个管脚即为栅极G。
关于有4个管脚的结型场效应管，另外一极是屏蔽极（运用中接地），也能够将万用表的黑表笔（红表笔也行）恣意接触一个电极，另一支表笔依次去接触其他的两个电极，测其电阻值。当呈现两次测得的电阻值近似相等时，则黑表笔所接触的电极为栅极，其他两电极分别为漏极和源极。
广州飞虹半导体主要研发、生产、经营：场效应管、三极管等半导体器件，专注大功率MOS管制造15年。