项 目 符号 单位 型号 最小 条件 标频 of MHz 3.200 85.000 频差 △f/of ppm ±30 ±10 ±100 At25℃ 温度频差稳定性 △f/of ppm ±30 ±10 ±100 At25℃ 工作温度范围 Topr ℃ -10~+70 AT 0~+60 BT 存储温度范围 Tstg ℃ -45~+85 Ri Ω Please see the table below 静电容 Co pF 7 负载电容 CL pF 30 10 Series 绝缘阻抗 MΩ 500 100Vdc 激励功率 mW 0.1 年老化率 ppm ±5.0 At25℃,per year
频率范围 ◆见表二 振动模式 AT切断,基频,三倍频,五倍频 调整频差 ±10,±15,±20,±30, ±50ppm(at 25℃) 工作温度范围和频率稳定性 ◆见表一 谐振电阻 ◆见表二 静态电容 7pF 以下或特定的 测试仪器 Saunders 150D, 250A, KH1200 负载电容 直列共振,16pF,20pF, 30pf或特定的 激励电平 10nW,50nW,100nW,1μW,10μW,100μW,1000μW 振动阻抗 500MΩ min/DC 100V 年老化率 ±1,±3,±5ppm/year HC-49/U,T,R,和HC-50/U,T,R,是抵抗溶接 工作温度范围和频率稳定性(25℃)