硅光电探测器

光敏面直径（mm):8

响应度(μA/μw)：0.25－0.32　（λ₁)　　　　(≥0.5 λ₂)　　　

暗电流(μA）：2　　

反向击穿电压（V）：≥150　　

工作电压（V）：－50（λ₁)　（－15，λ₂)　　　　

上升时间（ns)：8

结电容(pF)：≤15　　　　

封装形式：TO光窗型

重庆鹰谷光电有限公司

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信息内容：

光敏面直径（mm):6 响应度(μA/μw)：0.25－0.32　（λ1)　　　　(≥0.5 λ2)　　　暗电流(μA）：1.0　　反向击穿电压（V）：≥150　　工作电压（V）：－50（λ1)　（－15，λ2)　　　　上升时间（ns)：6 结电容(pF)：≤12　　　　　封装形式：TO光窗型

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信息内容：

光敏面直径（mm):4 响应度(μA/μw)：0.25－0.32　（λ1)　　　　(≥0.5 λ2)　　　暗电流(μA）：0.5　　　反向击穿电压（V）：≥150　　工作电压（V）：－50（λ1)　（－15，λ2)　　　　上升时间（ns)：4 结电容(pF)：≤8　　　　　封装形式：TO光窗型

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