单刀单掷-常开型,中断10A负载, 单刀单掷-常开+单刀单掷-常闭型中断8A负载, 紧凑:20×15×10mm(长×宽×高),低功耗:200mW,有磁通保护的或塑料密封的结构,独有的移动线圈电枢减小了继电器尺寸,磁干扰和触点弹跳.
G
G3VM-3,G3VM-61B1,G3VM
1:长端子形状2:内部为L端子形状,可进行高密度封装。3:独特的端子构造,IRS封装时端子温度容易上升,焊接性能良好。4:线圈接点间耐高压2,000AC,高度耐冲击电压2,500V,2*10US。5:额定消耗电力140MW的高灵敏度化。6:高9.4MM*宽7.5MM*长15MM的小型尺寸。7:采用耐热材料,对应IRS封装法。 具体型号:TX2-3V,TX2-5V,TX2-12V,TX2-24V,TX2-L2-3V,TX2-L2-5V,TX2-L2-12V,TX2-L2-24V,TX2SA-4.5V,TX2SA-5V,TX2SA-12V,TX2SA-24V
1:长端子形状2:内部为L端子形状,可进行高密度封装。3:独特的端子构造,IRS封装时端子温度容易上升,焊接性能良好。4:线圈接点间耐高压2,000AC,高度耐冲击电压2,500V,2*10US。5:额定消耗电力140MW的高灵敏度化。6:高9.4MM*宽7.5MM*长15MM的小型尺寸。7:采用耐热材料,对应IRS封装法。 具体型号:TX2-3V,TX2-5V,TX2-12V,TX2-24V,TX2-L2-3V,TX2-L2-5V,TX2-L2-12V,TX2-L2-24V,TX2SA-4.5V,TX2SA-5V,TX2SA-12V,TX2SA-24V