1:高5.2MM*宽6.5MM*长10MM的超小型,对应高度封装。
2:实现高度为5.2MM的低高度,封装效率提高的承诺。
3:约0.7G的超轻量型。对应更高速度的封装。
4:实现于本公司以往产品相比70%的低电力消耗100MW的高灵敏度,
5:实现线圈接点耐高压AC1,500V,且耐冲击电压1.5KV,10*160US。
具体型号:AGN2004H,AGN20012,AGN2104H,AGN200A4H
1:高5.2MM*宽6.5MM*长10MM的超小型,对应高度封装。 2:实现高度为5.2MM的低高度,封装效率提高的承诺。 3:约0.7G的超轻量型。对应更高速度的封装。 4:实现于本公司以往产品相比70%的低电力消耗100MW的高灵敏度, 5:实现线圈接点耐高压AC1,500V,且耐冲击电压1.5KV,10*160US。 具体型号:AGN2004H,AGN20012,AGN2104H,AGN200A4H
单刀单掷-常开型,中断10A负载, 单刀单掷-常开+单刀单掷-常闭型中断8A负载, 紧凑:20×15×10mm(长×宽×高),低功耗:200mW,有磁通保护的或塑料密封的结构,独有的移动线圈电枢减小了继电器尺寸,磁干扰和触点弹跳. G6C-1117P-12V,G6C-1117P-24V,G6C-1114P-US-12V, G6C-1114P-US-24V G3VM-3,G3VM-61B1,G3VM-61C1,G3VM-61CA,G6C-2114P-US-12V, G6C-2114P-US-24V,G6C-2117P-US-12V, G6C-2117P-US-24V