1:实行高度
1:实行高度5MM,可以与半导体元件安装于同一基板。2:额定消耗电力140MW的高灵敏度。3:低消耗电力实现的低热起电力化(约2UV)(G6H-2F除外)。4:漏磁力线少,可进行高密度实装。5:确保耐冲击电压1500V。6:实现高速动作。G6H-2-3V,G6H-2-5V,G6H-2-12V,G6H-2-24V,G6HK-2-5V,G6HK-2-12V,G6HK-2-24V,G6H-2-U-5V,G6H-2-U-12V,G6H-2-U-24V,G6H-2F-3V,G6H-2F-5V,G6H-2F-12V,G6H-2F-24V
1:长端子形状,焊接部分的长期连接可靠性提高。2:线圈接点间耐高压2,000AC,高度耐冲击电压2,500V 2*10US。3:额定消耗电力140MW的高灵敏度化。4:高9.4MM*宽7.5MM*长15MM的小型尺寸。5:采用耐热材料,对应IRS封装法。 具体型号:G6S-2-3V,G6S-2-4.5V,G6S-2-5V,G6S-2-12V,G6S-2-24V,G6S-2F-3V,G6S-2F-4.5V,G6S-2F-5V,G6S-2F-12V,G6S-2F-24V,G6S-2G-3V,G6S-2G-4.5V,G6S-2G-5V,G6S-2G-12V,G6S-2G-24V