压控振荡器 主要产品
VS7050-A
频率:1.5MHz~200.0MHz
封装:7.0×5.0×
工作电压: 5V 3.3V
Pulling范围:±100ppm
抖动:40 mSec
输出波形:CMOS
温度稳定度:-20℃~
存储温度:-55℃~+
VS7050-B
频率:60MHz~200.0MHz
封装:7.0×5.0×
工作电压: 5V 3.3V
Pulling范围:±100ppm
抖动:5 mSec
输出波形:CMOS
温度稳定度:-20℃~
存储温度:-55℃~+
VS7050-C
频率:1.5MHz~200.0MHz
封装:7.0×5.0×
工作电压: 5V 3.3V
Pulling范围:±100ppm
抖动:40 mSec
输出波形:CMOS
温度稳定度:-20℃~
存储温度:-55℃~+
VS7050-D
频率:100MHz~700.0MHz
封装:7.0×5.0×
工作电压: 5V 3.3V
Pulling范围:±100ppm
抖动:5 mSec
输出波形:PECL;LVDS
温度稳定度:-20℃~
存储温度:-55℃~+
VF7550-A
频率:60MHz~200.0MHz
封装:7.5×5.0×
工作电压: 3.3V
Pulling范围:±100ppm
抖动:5 mSec
输出波形:CMOS;TTL
温度稳定度:-20℃~
存储温度:-55℃~+
VF7550-B
频率:1.5MHz~200.0MHz
封装:7.5×5.0×
工作电压: 5V 3.3V
Pulling范围:±100ppm
抖动:40 mSec
输出波形:CMOS;TTL
温度稳定度:-20℃~
存储温度:-55℃~+
VS1438
频率:2.5MHz~45.0MHz
封装:14.3×8.7×
工作电压: 5V 3.3V
频率稳定度VS电压:±3ppm
频率稳定度VS负载:±3ppm
频率稳定度VS老化率:±1ppm/year
输出波形:CMOS;TTL
温度稳定度:-20℃~
存储温度:-55℃~+
VF1281
频率:2.5MHz~45.0MHz
封装:12.8×12.8×
工作电压: 5V 3.3V
频率稳定度VS电压:±3ppm
频率稳定度VS负载:±3ppm
频率稳定度VS老化率:±1ppm/year
输出波形:CMOS;TTL
温度稳定度:-20℃~
存储温度:-55℃~+
VF2041
频率:2.5MHz~45.0MHz
封装:20.4×12.8×
工作电压: 5V 3.3V
频率稳定度VS电压:±3ppm
频率稳定度VS负载:±3ppm
频率稳定度VS老化率:±1ppm/year
输出波形:CMOS;TTL
温度稳定度:-20℃~
存储温度:-55℃~+
频率:100MHz 封装:7.0×5.0×1.3mm SMD 工作电压:+3.3V or Specify 输出波形:P:PECL 温度稳定度: ±25ppm;±50ppm; ±100ppm 负载电容:15pF 老化率:±5ppm/year 存储温度:-55℃~125℃ 非标点的定做方法:用户可以提出相应的参数和指标定做,例如:封状、相噪、输出波形、频点、精度、温度频差、负载电容、老化率等。 本公司以"信誉,品质至上"的宗旨,期望与您建立长期友好的合作关系!欢迎您的来电垂询.
恒温振荡器 主要产品 OF2542 频率:5MHz~40.0MHz 封装:25.4×25.4×15.0mm 频率精度:±0.02ppm(at 25℃) 工作电压:+5V +3.3V 输出波形:CMOS 温度稳定度:-20℃~70℃ ±0.01ppm 输出负载:50Ω 老化率:±0.1ppm/year(年),±0.35ppm(10年) 存储温度:-40℃~100℃ OS2542 频率:5MHz~40.0MHz 封装:25.4×22.1×15.3mm 频率精度:±0.03ppm(at 25℃) 工作电压:+5V +3.3V 输出波形:CMOS 温度稳定度:-20℃~70℃ ±0.02ppm 输出负载:15pF 老化率:±0.01ppm/year(30天),±0.35ppm(10年) 存储温度:-40℃~+100℃ OF3632 频率:5MHz~80.0MHz 封装:36.3×27.2×19.1mm 频率精度:±0.02ppm(at 25℃) 工作电压:+5V +3.3V 输出波形:CMOS 温度稳定度:-20℃~70℃ ±0.02ppm 输出负载:50Ω 老化率:±0.005ppm/year(30天),±0.3ppm(10年) 存储温度:-40℃~+100℃ OF5085 频率:5MHz~80.0MHz 封装:50.8×50.8×26.2mm 频率精度:±0.02ppm(at 25℃) 工作电压:+5V +3.3V 输出波形:CMOS 温度稳定度:-20℃~70℃ ±0.005ppm 输出负载:50Ω 老化率:±0.005ppm/year(30天),±0.15ppm(10年...