价格:商议 品牌:NAIS 产地:日本 型号:TQ2-3V/5V/12V/24V
1:实行高度5MM,可以与半导体元件安装于同一基板。2:额定消耗电力140MW的高灵敏度。3:低消耗电力实现的低热起电力化(约2UV)(G6H-2F除外)。4:漏磁力线少,可进行高密度实装。5:确保耐冲击电压1500V。6:实现高速动作。7:标准型取得UL,CSA规格。8:超声波清洗对应,备用1绕组闭锁型和2绕组闭锁型。备有完全对应IRS,VPS的表面安装型。
具体型号:
TQ2-3V,TQ2-5V,TQ2-6V,TQ2-12V,TQ2-24V,TQ2-48V
TQ2-L-3V TQ2-L-5V TQ2-L-12V TQ2-L-24V
TQ2-L2-3V TQ2-L2-5V TQ2-L2-12V TQ2-L2-24V
TQ4-3V,TQ4-5V,TQ4-12V,TQ4-24V,TQ4-48V
TQ4-L-3V TQ4-L-5V TQ4-L-12V TQ4-L-24V
TQ4-L2-3V TQ4-L2-5V TQ4-L2-12V TQ4-L2-24V
价格:8.5 品牌:欧姆龙 产地:日本 型号:G6D-1A-24V,G6D-1A-5V 数量:45000 1:对应高密度安装,面积减少约45%宽6.5MM*长17.5MM*高12.5MM。2:小型继电器,但可做到5A(AC250,DC3V)的开闭能力。3:2A(AC250V,DC30V)具有可以实行30万次开闭的高耐久性。4:用于PC,控制设备的输出用。具体型号:G6D-1A-5VG6D-1A-12VG6D-1A-24V
价格:商议 品牌:NAIS 产地:日本 型号:AQW614 特性:1、约占由1a型和1b型组成的photoMOS继电器的一半位置。 2、可用于1a,1b型和2个的1a,1b型。3、低热电动势(约1uV). 4、输入侧的驱动回路中无需反向电势;护二极管。5、5mA的输入电流可控制到0.13A的负载电流。6、高速开关速度:标准300ns的动作时间。7、无需驱动功率MOSFET的电源。8、具有很低的闭路偏置电压,可用于微小模拟信号控制而无失真。9、安定的导通电阻。 AQW614,AQW614A,AQW614AX,AQW614AZ