价 格: | 面议 | |
型号/规格: | AQV212SX | |
品牌/商标: | 欧姆龙 |
特点:1、1-回路(a或b型)的超小型化设计。2、低导通电阻(50瓯)400V常闭型:内装有采用本公司独自开发的二重扩散选择掺杂质法(DSD)制作的MOSTET。3、带与盘式包装:为标准的(1000pcs/盘),便于自动插装机使用。4、PhotoMos继电器具有很低的闭路偏置电压,要用于微小模拟信号控制而无失真。5、SSR有几个mA的开路漏电电流,而PhotoMos继电器即便在额定400V的负载电压时也仅有100pA(AQY214S)的漏电电流。6、低热电势(约1uV)。用途:电话,测量仪器,计算机,工业用机器人,高速检测设备。AQV212SX,AQV215SX,AQV217SX,AQV210SX,AQV214SX,AQV216SX,AQV414SX,AQV414SZ,AQV212SZ,
AQV215SZ,AQV217SZ,AQV210SZ,AQV214SZ,AQV216SZ
特性:1、约占由1a型和1b型组成的photoMOS继电器的一半位置。2、可用于1a,1b型和2个独立的1a,1b型。3、低热电动势(约1uV).4、输入侧的驱动回路中无需反向电势;护二极管。5、5mA的输入电流可控制到0.13A的负载电流。6、高速开关速度:标准300ns的动作时间。7、无需驱动功率MOSFET的电源。8、具有很低的闭路偏置电压,可用于微小模拟信号控制而无失真。9、安定的导通电阻。AQW614,AQW614A,AQW614AX,AQW614AZ.
特性:1、约占由1a型和1b型组成的photoMOS继电器的一半位置。2、可用于1a,1b型和2个独立的1a,1b型。3、低热电动势(约1uV).4、输入侧的驱动回路中无需反向电势;护二极管。5、5mA的输入电流可控制到0.13A的负载电流。6、高速开关速度:标准300ns的动作时间。7、无需驱动功率MOSFET的电源。8、具有很低的闭路偏置电压,可用于微小模拟信号控制而无失真。9、安定的导通电阻。AQW614,AQW614A,AQW614AX,AQW614AZ.