价 格: | 0.80 | |
型号/规格: | 2SJ529 | |
品牌/商标: | NIP日本日电 | |
封装形式: | P-DIT/塑料双列直插 | |
环保类别: | 无铅环保型 | |
安装方式: | 直插式 | |
包装方式: | 散装 | |
功率特征: | 大功率 |
品牌:NIP日本日电 | 型号:2SJ529 | 种类:绝缘栅(MOSFET) |
沟道类型:P沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:L/功率放大 |
封装外形:P-DIT/塑料双列直插 | 材料:GE-P-FET锗P沟道 | 开启电压:60(V) |
夹断电压:60(V) | 跨导:3(μS) | 极间电容:7(pF) |
低频噪声系数:9(dB) | 漏极电流:2(mA) | 耗散功率:5(mW) |
东莞市金思来电子有限公司成立于1992年,是一家集生产、销售为一体的企业。于电子元器件的配套供应,产品有二、三极管、三端稳压管、场效应管、整流器件、肖特基二极管、开关三极管、快恢复二极管、三端稳压器、可控硅等
安规电容是指用于这样的场合,即电容器失效后,不会导致电击,不危及人身安全。 它包括了X电容和Y电容。 x电容是跨接在电力线两线(L-N)之间的电容,一般选用金属薄膜电容;Y电容是分别跨接在电力线两线和地之间(L-E,N-E)的电容,一般是成对出现。基于漏电流的限制,Y电容值不能太大,一般X电容是uF级,Y电容是nF级。X电容抑制差模干扰,Y电容抑制共模干扰。