FNK6075K 场效应管 MOSFET/MOS管优势应用
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | FNK6075K | |
| 品牌/商标： | FNK | |
| 封装形式： | TO-252-2L | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 卷带编带包装 | |
| 功率特征： | 中功率 |
场效应管应用于哪些地方呢
场效应管是电压控制元件，而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用场效应管；而在信号电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应选用晶体管。
场效应管是利用多数载流子导电，所以称之为单极型器件，而晶体管是既有多数载流子，也利用少数载流子导电，被称之为双极型器件。
有些场效应管的源极和漏极可以互换使用，栅压也可正可负，灵活性比晶体管好。
场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作，而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上，因此场效应管在大规模集成电路中得到了广泛的应用。
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稳定性优MOS管FNK1520
信息内容：型号：FNK1520 商标：FNK 包装：盒带编带包装 安装：直插式 封装：TO-220-3L 1. 场效应管是电压控制器件，栅极基本不取电流，而晶体管是电流控制器件，基极必须取一定的电流。因此，丢信号源额定电流极小的情况，应选用场效应管。 2. 场效应管是多子导电，而晶体管的两种载流子均参与导电。由于少子的浓度对温度、辐射等外界条件很敏感，因此，对于环境变化较大的场合，采用场效应管比较合适。 3. 场效应管除了和晶体管一样可作为放大器件及可控开关外，还可作压控可变线性电阻使用。 4. 场效应管的源极和漏极在结构上是对称的，可以互换使用，耗尽型MOS管的栅——源电压可正可负。因此，使用场效应管比晶体管灵活。 dzsc/19/4489/19448904.jpg dzsc/19/4489/19448904.jpg
优品MOS管/ FNK1520 MOSFET
信息内容：乾野电子有限公司是集自主研发生产销售的公司。 直流参数 饱和漏极电流IDSS它可定义为：当栅、源极之间的电压等于零，而漏、源极之间的电压大于夹断电压时，对应的漏极电流。 夹断电压UP它可定义为：当UDS一定时，使ID减小到一个微小的电流时所需的UGS。 开启电压UT它可定义为：当UDS一定时，使ID到达某一个数值时所需的UGS。 交流参数 低频跨导gm它是描述栅、源电压对漏极电流的控制作用。 极间电容场效应管三个电极之间的电容，它的值越小表示管子的性能越好。 极限参数 漏、源击穿电压当漏极电流急剧上升时，产生雪崩击穿时的UDS。 栅极击穿电压结型场效应管正常工作时，栅、源极之间的PN结处于反向偏置状态，若电流过高，则产生击穿现象。 dzsc/19/4489/19448914.jpg dzsc/19/4489/19448914.jpg
