价 格: | 面议 | |
型号/规格: | FNK85H21 | |
品牌/商标: | FNK | |
封装形式: | TO-220 | |
环保类别: | 无铅环保型 | |
安装方式: | 直插式 | |
包装方式: | 盒带编带包装 | |
功率特征: | 中功率 |
乾野电子有限公司在中国大陆(上海、惠州等)、香港分别建立了设计与运营中心、销售公司。
是中国研发成功并上量销售650V 超结-MOSFET(SJ-MOSFET)的设计公司,目标成为客户全球价值的功率半导体器件与服务供应商。
三极管BJT与场效应管FET的区别很多,简单列几条:
1. 三极管用电流控制,MOS管属于电压控制,BJT放大电流,FET将栅极电压转换为漏极电流。BJT参数是电流放大倍数β值,FET参数是垮导gm;
2. 驱动能力:MOS管常用电源开关管,以及大电流地方开关电路;
3. 成本问题:三极管便宜,MOS贵;
4. BJT线性较差,FET线性较好;
5. BJT噪声较大,FET噪声较小;
6. BJT极性只有NPN和PNP两类,FET极性有N沟道、P沟道,还有耗尽型和增强型,所以FET选型和使用都比较复杂;
7. 功耗问题:BJT输入电阻小,消耗电流大,FET输入电阻很大,几乎不消耗电流;
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实际上就是三极管比较便宜,用起来方便,常用在数字电路开关控制;MOS管用于高频高速电路,大电流场合,以及对基极或漏极控制电流比较敏感的地方。
根据三极管的原理开发出的新一代放大元件,有3个极性,栅极,漏极,源极,它的特点是栅极的内阻极高,采用二氧化硅材料的可以达到几百兆欧,属于电压控制型器件 概念: 场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管.由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管.它属于电压控制型半导体器件. 特点: 具有输入电阻高(108~109Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点,现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者. dzsc/19/4472/19447260.jpg dzsc/19/4472/19447260.jpg
乾野是中国研发成功并上量销售650V 超结-MOSFET(SJ-MOSFET)的设计公司,目标成为客户全球价值的功率半导体器件与服务供应商。 产品注重发展大功率器件、功率模块和集成器件、压电陀螺仪;性能与可靠性超越同行;应用偏向高端;注重品牌和信誉。 从事各种大功率半导体器件与功率集成器件设计、生产和销售,是中国大功率半导体器件的领航设计与销售企业。 目前(20V-250V)大功率Trench-MOS 器件、(500V-650V)SJ-MOS器件、普通高压MOS器件(600V)已量产与销售, 并取得国内和国际的多项技术。 dzsc/19/4472/19447261.jpg dzsc/19/4472/19447261.jpg