让卖家找上门
发布询价>>
您所在的位置:仪器仪表网> 电子元器件>供应HQ-0222 砷化铟成量子井霍尔元件 霍尔传感器

供应HQ-0222 砷化铟成量子井霍尔元件 霍尔传感器

价 格: 面议
型号/规格:HQ-0222
品牌/商标:AKM

热卖霍尔元件品种】

1、单极霍尔:霍尔传感器成品/无刷电机A1101/A1104//SS443F/SS41F/EW450/EW550/EW510 

    

2、全级霍尔:手机及数码便携式设备等 A3212/TLE4913/AH180/MH248/EM1781/FD2H002

       

3、锁存霍尔:无刷电机/流量传感器    EW400/EW402/EW410/EW412/EW432/EW632

                                SS41F/EW732/US4881/US5881//US1881/M48

       
4、线性霍尔:霍尔式电子油门/节气门位置/纺织机械断线测量/汽车弹簧压力测量/液体储存液位计           SS49E/ SS495A/SS495A1/SS496B/SS491B/A1302/A1321/HAL815A/TLE4921-5U   

   

5、HG系列砷化镓霍尔:开环电流传感器/钳流表/  HG106C/HG106C/HG302C/HG116C/HG106A/HG106R/HG302C/HG116A/HG166A/HG0813/HG362A/HG176A/HG0814/HG372A/HG186A/

 

6、HW系列锑化铟霍尔:无刷电机控制方案配套/相机镜头伸缩位置传感  HW101A/HW108A/HW105A/HW300B/HW322B/HW102A/HW105C/HW302B

 

品*种*众*多*敬*请*垂*询

由于通电导线周围存在磁场,其大小与导线中的电流成正比,故可以利用霍尔元件测量出磁场,就可确定导线电流的大小。利用这一原理可以设计制成霍尔电流传感器。其优点是不与被测电路发生电接触,不影响被测电路,不消耗被测电源的功率,特别适合于大电流传感。 
  若把霍尔元件置于电场强度为E、磁场强度为H的电磁场中,则在该元件中将产生电流I,元件上同时产生的霍尔电位差与电场强度E成正比,如果再测出该电磁场的磁场强度,则电磁场的功率密度瞬时值P可由P=EH确定。 
  利用这种方法可以构成霍尔功率传感器。 
  如果把霍尔元件集成的开关按预定位置有规律地布置在物体上,当装在运动物体上的永磁体经过它时,可以从测量电路上测得脉冲信号。根据脉冲信号列可以传感出该运动物体的位移。若测出单位时间内发出的脉冲数,则可以确定其运动速度。
  

深圳市海尔希科技发展有限公司
公司信息未核实
  • 所属城市:广东 深圳
  • [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
  • 联系人: 葛先生/陈小姐
  • 电话:0755-83537230/83554556/83462357
  • 传真:0755-83550548
  • 手机:13632621065
  • QQ :QQ:1271027167QQ:273013736
公司相关产品

供应HQ-0111磁敏传感器 AKE霍尔元件可赠样品

信息内容:

深圳市海尔希科技供应霍尔元件 品牌:AKE/旭化成 型号:HQ-0111 封装:3-lead sot 批号:11+ 制作工艺:半导体集成 规格尺寸:---(mm) 工作温度:-40~125(℃) 静态功耗:----(mW) 类型:其他IC() 是一家代理和分销世界各类品牌IC的高新技术性企业,开拓国内终端市场,提供的电子元件配套服务!并与世界各品牌生产厂商、国外代理商密切合作,提供最直接的货源,减少产品的流通环节,降低运营成本。 目前主要从事霍尔元件和电机驱动IC的销售,秉承诚信为本,针对客户的需要快速反应,拥有自己独特的客户需求解决方案.与优势国际品牌厂商AKE(旭化成)、Honeywell、Allegro、Sanken、Melexis、TOSHIBA、Infineon、ST、MAXIM、ADI、JRC、PH、TI、ON等有着长期良好的合作关系,可从厂商直接进货,长期备有大量现货,保证充足的货源库存,可以全系列订货,长期供应,为客户备安全生产库存,降低客户调货成本;并建立起多渠道的供应合作关系,尽全力满足客户研发和生产需要! ...

详细内容>>

供应HZ-312C 砷化镓GaAs霍尔元件可赠样品

信息内容:

HG302C砷化镓霍尔元件 砷化镓:(gallium arsenide)化学式GaAs。黑灰色固体,熔点1238℃。它在600℃以下,能在空气中稳定存在,并且不为非氧化性的酸侵蚀. 砷化镓于1964年进入实用阶段。砷化镓可以制成电阻率比硅、锗高3个数量级以上的半绝缘高阻材料,用来制作集成电路衬底、红外探测器、γ光子探测器等。由于其电子迁移率比硅大5~6倍,故在制作微波器件和高速数字电路方面得到重要应用。用砷化镓制成的半导体器件具有高频、高温、低温性能好、噪声小、抗辐射能力强等优点。此外,还可以用于制作转移器件──体效应器件。砷化镓是半导体材料中,兼具多方面优点的材料,但用它制作的晶体三极管的放大倍数小,导热性差,不适宜制作大功率器件。虽然砷化镓具有优越的性能,但由于它在高温下分解,故要生长理想化学配比的高纯的单晶材料,技术上要求比较高。 2010年5月,新一期英国《自然》杂志报告说,美国研究人员研发出一种可批量生产砷化镓晶片的技术,克服了成本上的瓶颈,从而使砷化镓这种感光性能比硅更优良的材料有望大规模用于半导体和太阳能相关产业。 美国伊利诺伊大学等机构研究人员报告说,他们开发出的新技术可以生成由砷化镓和...

详细内容>>

相关产品