价 格: | 面议 | |
型号/规格: | FNK40H19 | |
品牌/商标: | FNK | |
封装形式: | TO-220-3L | |
环保类别: | 无铅环保型 | |
安装方式: | 直插式 | |
包装方式: | 盒带编带包装 | |
功率特征: | 中功率 |
参数符号
Cds---漏-源电容 |
Cdu---漏-衬底电容 |
Cgd---栅-源电容 |
Cgs---栅-源电容 |
Ciss---栅短路共源输入电容 |
Coss---栅短路共源输出电容 |
Crss---栅短路共源反向传输电容 |
D---占空比(占空系数,外电路参数) |
di/dt---电流上升率(外电路参数) |
dv/dt---电压上升率(外电路参数) |
ID---漏极电流(直流) |
IDM---漏极脉冲电流 |
ID(on)---通态漏极电流 |
IDQ---静态漏极电流(射频功率管) |
IDS---漏源电流 |
IDSM---漏源电流 |
IDSS---栅-源短路时,漏极电流 |
IDS(sat)---沟道饱和电流(漏源饱和电流) |
IG---栅极电流(直流) |
IGF---正向栅电流 |
IGR---反向栅电流 |
IGDO---源极开路时,截止栅电流 |
IGSO---漏极开路时,截止栅电流 |
IGM---栅极脉冲电流 |
IGP---栅极峰值电流 |
IF---二极管正向电流 |
IGSS---漏极短路时截止栅电流 |
IDSS1---对管管漏源饱和电流 |
IDSS2---对管第二管漏源饱和电流 |
Iu---衬底电流 |
Ipr---电流脉冲峰值(外电路参数) |
gfs---正向跨导 |
Gp---功率增益 |
Gps---共源极中和高频功率增益 |
GpG---共栅极中和高频功率增益 |
GPD---共漏极中和高频功率增益 |
ggd---栅漏电导 |
gds---漏源电导 |
K---失调电压温度系数 |
Ku---传输系数 |
L---负载电感(外电路参数) |
LD---漏极电感 |
Ls---源极电感 |
rDS---漏源电阻 |
rDS(on)---漏源通态电阻 |
rDS(of)---漏源断态电阻 |
rGD---栅漏电阻 |
rGS---栅源电阻 |
Rg---栅极外接电阻(外电路参数) |
RL---负载电阻(外电路参数) |
R(th)jc---结壳热阻 |
R(th)ja---结环热阻 |
PD---漏极耗散功率 |
PDM---漏极允许耗散功率 |
PIN--输入功率 |
POUT---输出功率 |
PPK---脉冲功率峰值(外电路参数) |
to(on)---开通延迟时间 |
td(off)---关断延迟时间 |
ti---上升时间 |
ton---开通时间 |
toff---关断时间 |
tf---下降时间 |
trr---反向恢复时间 |
Tj---结温 |
Tjm---允许结温 |
Ta---环境温度 |
Tc---管壳温度 |
Tstg---贮成温度 |
VDS---漏源电压(直流) |
VGS---栅源电压(直流) |
VGSF--正向栅源电压(直流) |
VGSR---反向栅源电压(直流) |
VDD---漏极(直流)电源电压(外电路参数) |
VGG---栅极(直流)电源电压(外电路参数) |
Vss---源极(直流)电源电压(外电路参数) |
VGS(th)---开启电压或阀电压 |
V(BR)DSS---漏源击穿电压 |
V(BR)GSS---漏源短路时栅源击穿电压 |
VDS(on)---漏源通态电压 |
VDS(sat)---漏源饱和电压 |
VGD---栅漏电压(直流) |
Vsu---源衬底电压(直流) |
VDu---漏衬底电压(直流) |
VGu---栅衬底电压(直流) |
Zo---驱动源内阻 |
η---漏极效率(射频功率管) |
Vn---噪声电压 |
aID---漏极电流温度系数 |
ards---漏源电阻温度系数
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产品特性 (1)转移特性:栅极电压对漏极电流的控制作用称为转移特性。 (2)输出特性:UDS与ID的关系称为输出特性。 (3)结型场效应管的放大作用:结型场效应管的放大作用一般指的是电压放大作用。 电气特性 场效应管与晶体管在电气特性方面的主要区别有以下几点: 贴片场效应管 1:场效应管是电压控制器件,管子的导电情况取决于栅极电压的高低。晶体管是电流控制器件,管子的导电情况取决于基极电流的大小。2:场效应管漏源静态伏安特性以栅极电压UGS为参变量,晶体管输出特性曲线以基极电流Ib为参变量。 3:场效应管电流IDS与栅极UGS之间的关系由跨导Gm决定,晶体管电流Ic与Ib之间的关系由放大系数β决定。也就是说,场效应管的放大能力用Gm衡量,晶体管的放大能力用β衡量。 4:场效应管的输入阻抗很大,输入电流极小;晶体管输入阻抗很小,在导电时输入电流较大。 5:一般场效应管功率较小,晶体管功率较大。 dzsc/19/4452/19445252.jpg dzsc/19/4452/19445252.jpg
判断方法 结型场管脚识别 场效应管的栅极相当于晶体管的基极,源极和漏极分别对应于晶体管的发射极和集电 极。将万用表置于R×1k档,用两表笔分别测量每两个管脚间的正、反向电阻。当某两个管脚间的正、反向电阻相等,均为数KΩ时,则这两个管脚为漏极D和源极S(可互换),余下的一个管脚即为栅极G。对于有4个管脚的结型场效应管,另外一极是屏蔽极(使用中接地)。 判定栅极 用万用表黑表笔碰触管子的一个电极,红表笔分别碰触另外两个电极。若两次测出的阻值都很大,说明均是反向电阻,该管属于N沟道场效应管,黑表笔接的也是栅极。制造工艺决定了场效应管的源极和漏极是对称的,可以互换使用,并不影响电路的正常工作,所以不必加以区分。源极与漏极间的电阻约为几千欧。 注意不能用此法判定绝缘栅型场效应管的栅极。因为这种管子的输入电阻极高,栅源间的极间电容又很小,测量时只要有少量的电荷,就可在极间电容上形成很高的电压,容易将管子损坏。 估测放大能力 将万用表拨到R×100档,红表笔接源极S,黑表笔接漏极D,相当于给场效应管加上1.5V的电源电压。这时表针指示出的是D-S极间电阻值。然后用手指捏栅极G...