NEC2701/PS2701 全新原装现货库存,百分百全新原装
IRF3205数据
产品照片- 220 - 3,- 220 ab
产品培训模块高压集成电路(高压集成电路门驱动程序)
设计资源IRF3205PBF军刀模型
IRF3205PBF香料模型
标准包装50
一类离散半导体产品
家庭FETs——单身
HEXFET®系列
包装管
场效应晶体管型n沟道MOSFET,金属氧化物
场效应晶体管特性标准
漏源极电压(Vdss)55 v
电流-连续排水(Id)@ 25°C 110(Tc)
Rds(Max)@ Id,Vgs 8莫姆@ 62一个,10 v
vg(th)(Max)@ Id 4 vµa @ 250
门费用(成功之路上)@ vg 146数控@ 10 v
输入电容(Ciss)@ Vds 3247 pf @ 25 v
权力- Max 200 w
安装类型穿孔
包/ Case - 220 - 3
供应商设备包- 220 ab
动态目录标准FETs n沟道
其他名称* IRF3205PBF
IRF3205数据
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HEXFET®系列
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场效应晶体管型n沟道MOSFET,金属氧化物
场效应晶体管特性标准
漏源极电压(Vdss)55 v
电流-连续排水(Id)@ 25°C 110(Tc)
Rds(Max)@ Id,Vgs 8莫姆@ 62一个,10 v
vg(th)(Max)@ Id 4 vµa @ 250
门费用(成功之路上)@ vg 146数控@ 10 v
输入电容(Ciss)@ Vds 3247 pf @ 25 v
权力- Max 200 w
安装类型穿孔
包/ Case - 220 - 3
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漏源极电压(Vdss)55 v
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Rds(Max)@ Id,Vgs 8莫姆@ 62一个,10 v
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场效应晶体管型n沟道MOSFET,金属氧化物
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漏源极电压(Vdss)55 v
电流-连续排水(Id)@ 25°C 110(Tc)
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动态目录标准FETs n沟道
其他名称* IRF3205PBF
NEC2701/PS2701 全新原装现货库存,百分百全新原装. 数据IRF3205(S、L)PbF 产品照片- 263 产品培训模块高压集成电路(高压集成电路门驱动程序) 设计资源IRF3205SPBF军刀模型 IRF3205SPBF香料模型 标准包800 一类离散半导体产品 家庭FETs——单身 HEXFET®系列 包装胶带&卷筒(TR) 场效应晶体管型n沟道MOSFET,金属氧化物 场效应晶体管特性标准 漏源极电压(Vdss)55 v 电流-连续排水(Id)@ 25°C 110(Tc) Rds(Max)@ Id,Vgs 8莫姆@ 62一个,10 v vg(th)(Max)@ Id 4 vµa @ 250 门费用(成功之路上)@ vg 146数控@ 10 v 输入电容(Ciss)@ Vds 3247 pf @ 25 v 权力- Max 200 w 装配型面山 包/ Case - 263 - 3 D²Pak(2领导+ Tab),- 263 ab 供应商设备包D2PAK 动态目录标准FETs n沟道 其他名称IRF3205STRLPBF-ND IRF3205STRLPBFTR 数据IRF3205(S、L)PbF ...
NEC2701/PS2701 全新原装现货库存,百分百全新原装。 AD9833数据 产品图片10-TFSOP,10-MSOP 产品培训模块直接数字合成教程系列(1):1 - 7的介绍 直接数字合成器教程系列(7的7):DDS在行动 直接数字合成教程系列(3 7):角幅度转换器 直接数字合成教程系列(7投5中):数模转换重建滤波器 直接数字合成教程系列(6 7):SINC信封校正 直接数字合成教程系列(4 7):数模转换器 直接数字合成教程系列(2 7):蓄电池 标准包1000 集成电路(ic)类别 家庭界面——直接数字合成(DDS) 系列—— 包装胶带&卷筒(TR) 分辨率(比特)10 b 主fclk 25兆赫 调优词宽度(比特)28 b 电压-供应2.3 V ~ 5.5 V 操作温度-40°C ~ 105°C 装配型面山 包/案例10-TFSOP,10-MSOP(0.118”,3.00毫米宽) 供应商设备包10-MSOP 动态目录AD9833,AD9837 其他名称AD9833BRMZ-REEL7-ND AD9833BRMZ-REEL7TR AD9833BRMZREEL7 ...