价 格: | 面议 | |
型号/规格: | FNK30H150 | |
品牌/商标: | FNK | |
封装形式: | TO-220 | |
环保类别: | 无铅环保型 | |
安装方式: | 直插式 | |
包装方式: | 盒带编带包装 | |
功率特征: | 小功率 |
惠州市乾野电子有限公司(简称FNK-TECH) 成立于2003 年。
从事各种大功率半导体器件与功率集成器件设计、生产和销售,是中国大功率半导体器件的领航设计与销售企业。
目前(20V-250V)大功率Trench-MOS 器件、(500V-650V)SJ-MOS器件、普通高压MOS器件(600V)已量产与销售, 并取得国内和国际的多项技术。
公司是中国研发成功并上量销售650V 超结-MOSFET(SJ-MOSFET)的设计公司,目标成为客户全球价值的功率半导体器件与服务供应商。
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概念:
场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管.由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管.它属于电压控制型半导体器件.
惠州市乾野电子有限公司(简称FNK-TECH) 成立于2003 年。 从事各种大功率半导体器件与功率集成器件设计、生产和销售,是中国大功率半导体器件的领航设计与销售企业。 目前(20V-250V)大功率Trench-MOS 器件、(500V-650V)SJ-MOS器件、普通高压MOS器件(600V)已量产与销售, 并取得国内和国际的多项技术。 公司是中国研发成功并上量销售650V 超结-MOSFET(SJ-MOSFET)的设计公司,目标成为客户全球价值的功率半导体器件与服务供应商。 产品注重发展大功率器件、功率模块和集成器件、压电陀螺仪;性能与可靠性超越同行;应用偏向高端;注重品牌和信誉。 dzsc/19/4333/19433333.jpg 判别各电极与管型 用万用表R×100档,测量场效应晶体管任意两引脚之间的正、反向电阻值。其中一次测量中两引脚的电阻值为数百欧姆,这时两表笔所接的引脚为源极S和漏极D,而另一引脚为栅极G。 再用万用表R×10k档测量两引脚(漏极D与源极S)之间的正、反向电阻值。正常时,正向电阻值为2kΩ左右,反向电阻值大于500kΩ。 在测量反向电阻值时,红表笔所接引脚不动,黑表笔脱离所接引脚后,先与栅...
惠州市乾野电子有限公司(简称FNK-TECH) 成立于2003 年。 从事各种大功率半导体器件与功率集成器件设计、生产和销售,是中国大功率半导体器件的领航设计与销售企业。 目前(20V-250V)大功率Trench-MOS 器件、(500V-650V)SJ-MOS器件、普通高压MOS器件(600V)已量产与销售, 并取得国内和国际的多项技术。 公司是中国研发成功并上量销售650V 超结-MOSFET(SJ-MOSFET)的设计公司,目标成为客户全球价值的功率半导体器件与服务供应商。 产品注重发展大功率器件、功率模块和集成器件、压电陀螺仪;性能与可靠性超越同行;应用偏向高端;注重品牌和信誉 dzsc/19/4333/19433334.jpg dzsc/19/4333/19433334.jpg 金属-氧化层-半导体-场效晶体管,简称金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”的极性不同,可分为n-type与p-type的MOSFET,通常又称为NMOSFET与PMOSFET,其他简称尚包括NMOS FET、PMOS FET、nMOSFET、pMOSFET等。