价 格: | 面议 | |
型号/规格: | FNK9926 | |
品牌/商标: | FNK | |
封装形式: | SOP-8 | |
环保类别: | 无铅环保型 | |
安装方式: | 贴片式 | |
包装方式: | 盒带编带包装 | |
功率特征: | 中功率 |
乾野电子产品注重发展大功率器件、功率模块和集成器件、压电陀螺仪;性能与可靠性超越同行;应用偏向高端;注重品牌和信誉。
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场效应管的参数
场效应管的参数很多,包括直流参数、交流参数和极限参数,但一般使用时关注以下主要参数:
1、I DSS — 饱和漏源电流。是指结型或耗尽型尽缘栅场效应管中,栅极电压U GS=0时的漏源电流。 2、UP — 夹断电压。是指结型或耗尽型尽缘栅场效应管中,使漏源间刚截止时的栅极电压。 3、UT — 开启电压。是指增强型尽缘栅场效管中,使漏源间刚导通时的栅极电压。
4、gM — 跨导。是表示栅源电压U GS — 对漏极电流I D的控制能力,即漏极电流I D变化量与栅源电压UGS变化量的比值。gM 是衡量场效应管放大能力的重要参数。
从事各种大功率半导体器件与功率集成器件设计、生产和销售,是中国大功率半导体器件的领航设计与销售企业。 目前(20V-250V)大功率Trench-MOS 器件、(500V-650V)SJ-MOS器件、普通高压MOS器件(600V)已量产与销售, 并取得国内和国际的多项技术。 dzsc/19/4286/19428619.jpg dzsc/19/4286/19428619.jpg MOSFET的电路符号 常用于MOSFET的电路符号有很多种变化,最常见的设计是以一条直线代表通道,两条和通道垂直的线代表源极与漏极,左方和通道平行而且较短的线代表栅极,如下图所示。有时也会将代表通道的直线以破折线代替,以区分增强型MOSFET(enhancement mode MOSFET)或是耗尽型MOSFET(depletion mode MOSFET)。
乾野电子从事各种大功率半导体器件与功率集成器件设计、生产和销售,是中国大功率半导体器件的领航设计与销售企业。 dzsc/19/4286/19428620.jpg dzsc/19/4286/19428620.jpg MOS集成电路)极易被静电击穿,使用时应留意以下规则: (1). MOS器件出厂时通常装在玄色的导电泡沫塑料袋中,切勿自行随便拿个塑料袋装。也可用细铜线把各个引脚连接在一起,或用锡纸包装 (2).取出的MOS器件不能在塑料板上滑动,应用金属盘来盛放待用器件。 (3). 焊接用的电烙铁必须良好接地。 (4). 在焊接前应把电路板的电源线与地线短接,再MOS器件焊接完成后在分开。 (5). MOS器件各引脚的焊接顺序是漏极、源极、栅极。拆机时顺序相反。 (6).电路板在装机之前,要用接地的线夹子往碰一下机器的各接线端子,再把电路板接上往。 (7). MOS场效应晶体管的栅极在答应条件下,接进保护二极管。在检验电路时应留意查证原有的保护二极管是否损坏