供应mos管MOSFETFNK3400齐全热卖
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | FNK3400 | |
| 品牌/商标： | FNK | |
| 封装形式： | SOT-23 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 盒带编带包装 | |
| 功率特征： | 中功率 |
MOS集成电路）极易被静电击穿，使用时应留意以下规则：
（1）. MOS器件出厂时通常装在玄色的导电泡沫塑料袋中，切勿自行随便拿个塑料袋装。也可用细铜线把各个引脚连接在一起，或用锡纸包装
（2）.取出的MOS器件不能在塑料板上滑动，应用金属盘来盛放待用器件。 （3）. 焊接用的电烙铁必须良好接地。
（4）. 在焊接前应把电路板的电源线与地线短接，再MOS器件焊接完成后在分开。 （5）. MOS器件各引脚的焊接顺序是漏极、源极、栅极。拆机时顺序相反。
（6）.电路板在装机之前，要用接地的线夹子往碰一下机器的各接线端子，再把电路板接上往。
（7）. MOS场效应晶体管的栅极在答应条件下，接进保护二极管。在检验电路时应留意查证原有的保护二极管是否损坏
amily:"Times New Roman";mso-hansi-font-family: "Times New Roman"'>一定时，场效应管正常工作所能承受的漏源电压。这是一项极限参数，加在场效应管上的工作电压必须小于BUDS。dzsc/19/4283/19428335.jpg
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实际上说电流控制慢，电压控制快这种理解是不对的。要真正理解得了解双极晶体管和mos晶体管的工作方式才能明白。三极管是靠载流子的运动来工作的，以npn管射极跟随器为例，当基极加不加电压时，基区和发射区组成的pn结为阻止多子（基区为空穴，发射区为电子）的扩散运动，在此pn结处会感应出由发射区指向基区的静电场（即内建电场），当基极外加正电压的指向为基区指向发射区，当基极外加电压产生的电场大于内建电场时，基区的载流子（电子）才有可能从基区流向发射区，此电压的最小值即pn结的正向导通电压（工程上一般认为0.7v）。但此时每个pn结的两侧都会有电荷存在，此时如果集电极-发射极加正电压，在电场作用下，发射区的电子往基区运动（实际上都是电子的反方向运动），由于基区宽度很小，电子很容易越过基区到达集电区，并与此处的PN的空穴复合（靠近集电极），为维持平衡，在正电场的作用下集电区的电子加速外集电极运动，而空穴则为pn结处运动，此过程类似一个雪崩过程。集电极的电子通过电源回到发射极，这就是晶体管的工作原理。三极管工作时，两个pn结都会感应出电荷，当做开关管处于导通状态时，三极管处于饱和状态，如果这时三极管截至，pn结感应的电荷要恢复到平衡状态，这个过程需要时间。而mos三极管工作方式不同，没有这个恢复时间，因此可以用作高速开关管。
三、场效应管的参数
场效应管的参数很多，包括直流参数、交流参数和极限参数，但一般使用时关注以下主要参数：
1、I DSS — 饱和漏源电流。是指结型或耗尽型尽缘栅场效应管中，栅极电压U GS=0时的漏源电流。 2、UP — 夹断电压。是指结型或耗尽型尽缘栅场效应管中，使漏源间刚截止时的栅极电压。 3、UT — 开启电压。是指增强型尽缘栅场效管中，使漏源间刚导通时的栅极电压。
4、gM — 跨导。是表示栅源电压U GS — 对漏极电流I D的控制能力，即漏极电流I D变化量与栅源电压UGS变化量的比值。gM 是衡量场效应管放大能力的重要参数。
5、BUDS — 漏源击穿电压。是指栅源电压UGS一定时，场效应管正常工作所能承受的漏源电压。这是一项极限参数，加在场效应管上的工作电压必须小于BUDS。
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供应场效应管FNK3400 厂家生产 直销
信息内容：MOS集成电路）极易被静电击穿，使用时应留意以下规则： （1）. MOS器件出厂时通常装在玄色的导电泡沫塑料袋中，切勿自行随便拿个塑料袋装。也可用细铜线把各个引脚连接在一起，或用锡纸包装 （2）.取出的MOS器件不能在塑料板上滑动，应用金属盘来盛放待用器件。 （3）. 焊接用的电烙铁必须良好接地。 （4）. 在焊接前应把电路板的电源线与地线短接，再MOS器件焊接完成后在分开。 （5）. MOS器件各引脚的焊接顺序是漏极、源极、栅极。拆机时顺序相反。 （6）.电路板在装机之前，要用接地的线夹子往碰一下机器的各接线端子，再把电路板接上往。 （7）. MOS场效应晶体管的栅极在答应条件下，接进保护二极管。在检验电路时应留意查证原有的保护二极管是否损坏 amily:"Times New Roman";mso-hansi-font-family: "Times New Roman"'>一定时，场效应管正常工作所能承受的漏源电压。这是一项极限参数，加在场效应管上的工作电压必须小于BUDS。 dzsc/19/4283/19428338.jpg dzsc/19/4283/19428338.jpg 实际上说电流控制慢，电压控制快这种理解是不对的。要真正理解得了解双极晶体管和mos晶体管的工作方式才能明白。三...
供应优质mosfet 场效应管 FNK3400 品质保证
信息内容：惠州市乾野电子有限公司（简称FNK-TECH） 成立于2003 年。 从事各种大功率半导体器件与功率集成器件设计、生产和销售，是中国大功率半导体器件的领航设计与销售企业。 目前（20V-250V）大功率Trench-MOS 器件、（500V-650V）SJ-MOS器件、普通高压MOS器件（600V）已量产与销售， 并取得国内和国际的多项技术。 公司是中国研发成功并上量销售650V 超结-MOSFET（SJ-MOSFET）的设计公司，目标成为客户全球价值的功率半导体器件与服务供应商。 产品注重发展大功率器件、功率模块和集成器件、压电陀螺仪；性能与可靠性超越同行；应用偏向高端；注重品牌和信誉。 dzsc/19/4283/19428339.jpg dzsc/19/4283/19428339.jpg MOS集成电路）极易被静电击穿，使用时应留意以下规则： （1）. MOS器件出厂时通常装在玄色的导电泡沫塑料袋中，切勿自行随便拿个塑料袋装。也可用细铜线把各个引脚连接在一起，或用锡纸包装 （2）.取出的MOS器件不能在塑料板上滑动，应用金属盘来盛放待用器件。 （3）. 焊接用的电烙铁必须良好接地。 （4）. 在焊接前应把电路板的电源线与地线短接，再M...
