价 格: | 面议 | |
型号/规格: | SPW11N80C3 | |
品牌/商标: | INFINEON(英飞凌) | |
封装形式: | TO247 | |
环保类别: | 无铅环保型 | |
安装方式: | 直插式 | |
包装方式: | 单件包装 | |
功率特征: | 超大功率 |
FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
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FET 功能 | 标准 |
漏源极电压 (Vdss) | 800V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 11A (Tc) |
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(值) | 450 毫欧 @ 7.1A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(值) | 3.9V @ 680μA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 85nC @ 10V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 1600pF @ 100V |
功率 - 值 | 156W |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-247-3 |
深圳市东柏森电子有限公司(原:深圳市福田区锦煜电子商行)成立于2004年,从事电子元器件贸易的配套服务, 致于原装IR(国际整流器公司)、VISHAY(威世)、ST(意法半导体)、FAIRCHILD(仙童)、英飞凌(Infineon)的 各种场效应管、IGBT、三极管、可控硅、稳压IC、肖特基、快恢复等品牌元件的配套服务。 种类: MOSFET 沟道类型: N 耗散功率 (Pd): 150 漏源电压 (Uds): 500V 栅源电压 (Ugs) 漏极电流 (Id): 12 工作温度 (Tj), °C: 150 导通上升时间 (tr): 输出电容 (Cd), pF: 2700 静态的漏源极导通电阻 (Rds), Ohm: 0.5 封装形式: TO3
FET 类型 MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能 标准 漏源极电压 (Vdss) 600V 电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) 4.3A (Tc) 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(值) 1 欧姆 @ 2.2A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(值) 5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) 38nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 1430pF @ 25V 功率 - 值 48W 安装类型 通孔 LED电源专用MOS管,快速二极管: 进口仙童FQPF2N60C 4N60C 5N60C 7N60C 8N60C 10N60C 12N60C 进口ST:STP4NK60ZFP STP5NK50ZFP STP7NK60ZFP STP9NK660ZFP ...