价 格: | 面议 | |
型号/规格: | FGL35N120FTD | |
品牌/商标: | FAIRCHILD(飞兆) | |
封装形式: | TO247 | |
环保类别: | 无铅环保型 | |
安装方式: | 直插式 | |
包装方式: | 单件包装 | |
功率特征: | 超大功率 |
IGBT 类型 | 沟道和场截止 |
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电压 - 集射极击穿(值) | 1200V |
不同 Vge、Ic 时的 Vce(on) | 2.2V @ 15V,35A |
电流 - 集电极 (Ic)(值) | 70A |
Current - Collector Pulsed (Icm) | 105A |
功率 - 值 | 368W |
Switching Energy | 2.5mJ (开), 1.7mJ (关) |
输入类型 | 标准 |
Gate Charge | 210nC |
Td (on/off) A 25°C | 34ns/172ns |
Test Condition | 600V, 35A, 10 欧姆, 15V |
反向恢复时间 (trr) | 337ns |
FET 类型 MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能 标准 漏源极电压 (Vdss) 60V 电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) 200mA 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(值) 5 欧姆 @ 500mA,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(值) 3V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) - 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 50pF @ 25V 功率 - 值 400mW 安装类型 通孔 深圳市东柏森电子有限公司(原:深圳市福田区锦煜电子商行)成立于2004年,从事电子元器件贸易的配套服务, 致于原装IR(国际整流器公司)、VISHAY(威世)、ST(意法半导体)、FAIRCHILD(仙童)、英飞凌(Infineon)的 各种场效应管、IGBT、三极管、可控硅、稳压I...
电压 - 集射极击穿(值) 600V 不同 Vge、Ic 时的 Vce(on) 2.5V @ 15V,30A 电流 - 集电极 (Ic)(值) 55A Current - Collector Pulsed (Icm) 110A 功率 - 值 200W Switching Energy 700μJ(关) 输入类型 标准 Gate Charge 100nC Td (on/off) A 25°C 30ns/90ns Test Condition - 深圳市东柏森电子有限公司(原:深圳市福田区锦煜电子商行)成立于2004年,从事电子元器件贸易的配套服务, 致于原装IR(国际整流器公司)、VISHAY(威世)、ST(意法半导体)、FAIRCHILD(仙童)、英飞凌(Infineon)的 各种场效应管、IGBT、三极管、可控硅、稳压IC、肖特基、快恢复等品牌元件的配套服...