价 格: | 面议 | |
型号/规格: | IRG4BC20S | |
品牌/商标: | IR | |
封装形式: | TO220 | |
环保类别: | 无铅环保型 | |
安装方式: | 直插式 | |
包装方式: | 单件包装 | |
功率特征: | 大功率 |
IGBT 类型 | - |
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电压 - 集射极击穿(值) | 600V |
不同 Vge、Ic 时的 Vce(on) | 1.6V @ 15V,10A |
电流 - 集电极 (Ic)(值) | 19A |
Current - Collector Pulsed (Icm) | 38A |
功率 - 值 | 60W |
Switching Energy | 2.17mJ |
输入类型 | 标准 |
Gate Charge | 27nC |
Td (on/off) A 25°C | 27ns/540ns |
Test Condition | 480V, 10A, 50 欧姆, 15V |
反向恢复时间 (trr) | - |
封装/外壳 |
TO-220-3 |
IGBT 类型 - 电压 - 集射极击穿(值) 600V 不同 Vge、Ic 时的 Vce(on) 2.8V @ 15V,9A 电流 - 集电极 (Ic)(值) 16A Current - Collector Pulsed (Icm) 32A 功率 - 值 60W Switching Energy 400μJ 输入类型 标准 Gate Charge 34nC Td (on/off) A 25°C 28ns/150ns Test Condition 480V, 9A, 50 欧姆, 15V 反向恢复时间 (trr) - 封装/外壳 TO-220-3 深圳市东柏森电子有限公司(原:深圳市福田区锦煜电子商行)成立于2004年,从事电子元器件贸易的配套服务, 致于原装IR(国际整流器公司)、VISHAY(威世)、ST(意法半导体)、FAIRCHILD(仙童...
IGBT 类型 沟道和场截止 电压 - 集射极击穿(值) 1200V 不同 Vge、Ic 时的 Vce(on) 2.2V @ 15V,15A 电流 - 集电极 (Ic)(值) 30A Current - Collector Pulsed (Icm) 45A 功率 - 值 113W Switching Energy 2.7mJ 输入类型 标准 Gate Charge 85nC Td (on/off) A 25°C 50ns/520ns Test Condition 600V, 15A, 56 欧姆, 15V 反向恢复时间 (trr) 140ns 封装/外壳 TO-247-3 安装类型 通孔 ...