价 格: | 面议 | |
型号/规格: | FDP18N50 | |
品牌/商标: | FAIRCHILD(飞兆) | |
封装形式: | TO220 | |
环保类别: | 无铅环保型 | |
安装方式: | 直插式 | |
包装方式: | 单件包装 | |
功率特征: | 大功率 |
FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
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FET 功能 | 标准 |
漏源极电压 (Vdss) | 500V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 9A (Tc) |
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(值) | 265 毫欧 @ 9A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(值) | 5V @ 250μA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 60nC @ 10V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 2860pF @ 25V |
功率 - 值 | 235W |
安装类型 | 通孔 |
FET 类型 MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能 标准 漏源极电压 (Vdss) 600V 电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) 12A (Tc) 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(值) 700 毫欧 @ 6A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(值) 5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) 54nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 1900pF @ 25V 功率 - 值 240W 安装类型 通孔 深圳市东柏森电子有限公司(原:深圳市福田区锦煜电子商行)成立于2004年,从事电子元器件贸易的配套服务, 致于原装IR(国际整流器公司)、VISHAY(威世)、ST(意法半导体)、FAIRCHILD(仙童)、英飞凌(Infineon)的 各种场效应管、IGBT、三极...
FET 类型 MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能 标准 漏源极电压 (Vdss) 200V 电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) 61A (Tc) 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(值) 41 毫欧 @ 30.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(值) 5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) 75nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 3380pF @ 25V 功率 - 值 417W 安装类型 通孔 深圳市东柏森电子有限公司(原:深圳市福田区锦煜电子商行)成立于2004年,从事电子元器件贸易的配套服务, 致于原装IR(国际整流器公司)、VISHAY(威世)、ST(意法半导体)、FAIRCHILD(仙童)、英飞凌(Infineon)的 各种场效应管、IGBT、三...