FNK5515P|MOSFET生产批发
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | FNK5515P | |
| 品牌/商标： | FNK | |
| 封装形式： | TO-220 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 直插式 | |
| 包装方式： | 盒带编带包装 |
乾野电子是中国研发成功并上量销售650V 超结-MOSFET（SJ-MOSFET）的设计公司，目标成为客户全球价值的功率半导体器件与服务供应商。
FNK P沟道增强模式功率MOSFET的描述
FNK5515P采用先进的沟槽技术和设计提供出色的RDS（ON）低栅极电荷。它可用于各种各样的应用中。
一般特点
●VDS=55V,ID=15A
RDS（ON）<80MΩ@ VGS=-10V
●高密度电池设计超低导通电阻
●全雪崩电压和电流
●良好的散热性能的包装
应用
●电源开关应用
●硬开关和高频电路
●DC-DC转换
MOSFET的概述
从目前的角度来看MOSFET的命名，事实上会让人得到错误的印象。因为MOSFET里代表"metal"的个字母M在当下大部分同类的元件里是不存在的。早期MOSFET的栅极（gate electrode）使用金属作为其材料，但随著半导体技术的进步，随后MOSFET栅极使用多晶硅取代了金属。在处理器中，多晶硅栅已经不是主流技术，从英特尔采用45纳米线宽的P1266处理器开始，栅极开始重新使用金属。
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FNK5530P|原装品质MOSFET批发热卖
信息内容：乾野电子产品注重发展大功率器件、功率模块和集成器件、压电陀螺仪；性能与可靠性超越同行；应用偏向高端；注重品牌和信誉。 FNK P沟道增强模式功率MOSFET的描述 FNK5530P采用先进的沟槽技术和设计提供出色的RDS（ON）低栅极电荷。它可用于各种各样的应用中。 一般特点 ●VDS=55V,ID=-30A RDS（ON）<40MΩ@ VGS=-10V ●高密度电池设计超低导通电阻 ●全雪崩电压和电流 ●良好的稳定性和均匀性，高EAS ●良好的散热性能的包装 应用 ●电源开关应用 ●硬开关和高频电路 ●不间断电源 MOSFET的操作原理 MOSFET的核心：金属-氧化层-半导体电容 金属-氧化层-半导体结构MOSFET在结构上以一个金属-氧化层-半导体的电容为核心（如前所述，今日的MOSFET多半以多晶硅取代金属作为其栅极材料），氧化层的材料多半是二氧化硅，其下是作为基极的硅，而其上则是作为栅极的多晶硅。这样子的结构正好等于一个电容器（capacitor），氧化层扮演电容器中介电质（dielectric material）的角色，而电容值由氧化层的厚度与二氧化硅的介电常数（dielectric ...
FNK5530P|MOS管MOSFET
信息内容：乾野电子是中国研发成功并上量销售650V 超结-MOSFET（SJ-MOSFET）的设计公司，目标成为客户全球价值的功率半导体器件与服务供应商。 FNK P沟道增强模式功率MOSFET的描述 FNK5530P采用先进的沟槽技术和设计提供出色的RDS（ON）低栅极电荷。它可用于各种各样的应用中。 一般特点 ●VDS=55V,ID=-30A RDS（ON）<40MΩ@ VGS=-10V ●高密度电池设计超低导通电阻 ●全雪崩电压和电流 ●良好的稳定性和均匀性，高EAS ●良好的散热性能的包装 应用 ●电源开关应用 ●硬开关和高频电路 ●不间断电源 MOSFET的介绍 金属-氧化层-半导体-场效晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管（field-effect transistor）。MOSFET依照其"通道"的极性不同，可分为n-type与p-type的MOSFET,通常又称为NMOSFET与PMOSFET,其他简称尚包括NMOS FET、PMOS FET、nMOSFET、pMOSFET等。
