FNK4050PK|MOSFET适合高电流负载的应用
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | FNK4050PK | |
| 品牌/商标： | FNK | |
| 封装形式： | TO-252 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 直插式 | |
| 包装方式： | 盒带编带包装 |
乾野电子目前的产品（20V-250V）大功率Trench-MOS 器件、（500V-650V）SJ-MOS器件、普通高压MOS器件（600V）已量产与销售， 并取得国内和国际的多项技术。
FNK P沟道增强模式功率MOSFET的描述
FNK4050PK采用先进的沟槽技术和设计提供出色的RDS（ON）低栅极电荷，该器件非常适合高电流负载的应用。
一般特点
●VDS=40V,ID=-50A
RDS（ON）<13mΩ@ VGS=-10V
●高密度电池设计超低导通电阻
●全雪崩电压和电流
●良好的稳定性和均匀性，高EAS
●良好的散热性能的包装
●特殊工艺技术，高ESD能力
应用
●电源开关
●高电流应用中的负载开关
●DC/ DC转换器
- 所属城市：广东 惠州
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FNK4050PK|原装MOS管批发
信息内容：乾野电子从事各种大功率半导体器件与功率集成器件设计、生产和销售，是中国大功率半导体器件的领航设计与销售企业。 FNK P沟道增强模式功率MOSFET的描述 FNK4050PK采用先进的沟槽技术和设计提供出色的RDS（ON）低栅极电荷，该器件非常适合高电流负载的应用。 一般特点 ●VDS=40V,ID=-50A RDS（ON）<13mΩ@ VGS=-10V ●高密度电池设计超低导通电阻 ●全雪崩电压和电流 ●良好的稳定性和均匀性，高EAS ●良好的散热性能的包装 ●特殊工艺技术，高ESD能力 应用 ●电源开关 ●高电流应用中的负载开关 ●DC/ DC转换器
FNK4050PK|原装MOS管批发
信息内容：乾野电子从事各种大功率半导体器件与功率集成器件设计、生产和销售，是中国大功率半导体器件的领航设计与销售企业。 FNK P沟道增强模式功率MOSFET的描述 FNK4050PK采用先进的沟槽技术和设计提供出色的RDS（ON）低栅极电荷，该器件非常适合高电流负载的应用。 一般特点 ●VDS=40V,ID=-50A RDS（ON）<13mΩ@ VGS=-10V ●高密度电池设计超低导通电阻 ●全雪崩电压和电流 ●良好的稳定性和均匀性，高EAS ●良好的散热性能的包装 ●特殊工艺技术，高ESD能力 应用 ●电源开关 ●高电流应用中的负载开关 ●DC/ DC转换器 MOS管的主要参数 1.开启电压VT ·开启电压（又称阈值电压）：使得源极S和漏极D之间开始形成导电沟道所需的栅极电压； ·标准的N沟道MOS管，VT约为3~6V; ·通过工艺上的改进，可以使MOS管的VT值降到2~3V. 2. 直流输入电阻RGS ·即在栅源极之间加的电压与栅极电流之比 ·这一特性有时以流过栅极的栅流表示 ·MOS管的RGS可以很容易地超过1010Ω。
