*芯片采用双台面玻璃钝化工艺生产
*芯片一致性好,参数稳定
*封装车间达到国际无尘标准
*芯片参数和具体要求可根据客户要定制生产
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型号:BT137-800E |
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电流/IT(RMS):8(A) |
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电压/VDRM:(850V) |
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触发电流/IGT:5mA |
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触发电压/VGT: |
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VD=12V;IT=0.1A; 0.6~1.5V |
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VD=VDRM(max);IT=0.1A;Tj=125℃ 0.25~0.4V |
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工作温度:125℃(储存温度:-40~ 150℃) |
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门极散耗功率:0.5W |
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供应BT137-800E,价格合理,有意者请联系! |
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*芯片参数和具体要求可根据客户要定制生产
"*芯片采用双台面玻璃钝化工艺生产 *芯片一致性好,参数稳定 *封装车间达到国际无尘标准 dzsc/19/4151/19415110.jpg 型号:BTB04-800C 电流/IT(RMS):4(A) 电压/VDRM:800V 触发电流/IGT:15mA 触发电压/VGT: VD=12V;IT=0.1A; 0.6~1.5V VD=VDRM(max);IT=0.1A;Tj=125℃ 0.25~0.4V 工作温度:125℃(储存温度:-40~ 150℃) 门极散耗功率:0.5W 供应BTB04-800C,价格合理,有意者请联系! 以上是BTB04的详细信息,如果您对 BTB04的价格、厂家、型号、图片有什么疑问,请联系我们获取 BTB04的信息。 ...
型号:BT139-600E 电流/IT(RMS):16(A) 电压/VDRM:600(V) 触发电流/IGT: IGTⅠ:(T2 G ):2.5~10mA (象限) IGTⅡ:(T2 G-):4~10mA (第二象限) IGTⅢ:(T2-G-):5~10mA (第三象限) IGTⅣ:(T2-G ):11~25mA (第四象限) 触发电压/VGT: VD=12V;IT=0.1A; 0.7~1.5V VD=400V;IT=0.1A;Tj=125℃ 0.25~0.4V 工作温度:125℃ ( 储存温度:-40~ 150℃ ) 门极散耗功率:0.5W 供应BT139-600E,价格合理,有意者请联系! 以上是 BT139-600E 的详细信息,如果您对 BT139-600E 的厂家.型号.价格.图片有什么疑问,请联系我们获取 BT139-600E 的信息! 特殊参数可根据客户要求定做!