*芯片采用双台面玻璃钝化工艺生产
*芯片一致性好,参数稳定
*封装车间达到国际无尘标准
*芯片参数和具体要求可根据客户要定制生产
型号:BTA25-1200B |
电流/IT(RMS):25(A) |
电压/VDRM:(1200V) |
触发电流/IGT:25mA |
触发电压/VGT: |
VD=12V;IT=0.1A; 0.6~1.5V |
VD=VDRM(max);IT=0.1A;Tj=125℃ 0.25~0.4V |
工作温度:125℃(储存温度:-40~ 150℃) |
门极散耗功率:0.5W |
供应BTA25-1200B,价格合理,有意者请联系! |
以上是 BTA25-1200B 的详细信息,如果您对 BTA25-1200B 有厂家.型号.图片.价格有什么疑问,请联系我们获取 BTA25-1200B 的信息!
型号:BT169E 电流/IT(RMS):0.8(A) 电压/VDRM:500(V) 触发电流/IGT:50~200μA 触发电压/VGT: VD=12V;IT=10mA;gate open circuit 0.5~0.8V VD=VDRM(max);IT=10mA;Tj=125℃ 0.2~0.3V gate open circuit 工作温度:125℃ ( 储存温度:-40~ 150℃ ) 门极散耗功率:0.1W 供应BT169E,价格合理,有意者请联系! dzsc/19/4148/19414890.jpg 以上是 BT169E 的详细信息,如果您对 BT169E 的价格、厂家、型号、图片有什么疑问,请联系我们获取 BT169E 的信息。 *芯片参数和具体要求可根据客户要定制生产 "
*芯片采用双台面玻璃钝化工艺生产 *芯片一致性好,参数稳定 *封装车间达到国际无尘标准 *芯片参数和具体要求可根据客户要定制生产 型号:BT137X-600E 电流/IT(RMS):8(A) 电压/VDRM:(650V) 触发电流/IGT:5mA 触发电压/VGT: VD=12V;IT=0.1A; 0.6~1.5V VD=VDRM(max);IT=0.1A;Tj=125℃ 0.25~0.4V 工作温度:125℃(储存温度:-40~ 150℃) 门极散耗功率:0.5W 供应BT137X-600E,价格合理,有意者请联系! 以上是 BT137X-600E 的详细信息,如果您对 BT137X-600E 有厂家.型号.图片.价格的疑...