FNK5515PK|场效应管的测量方法
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | FNK5515PK | |
| 品牌/商标： | FNK | |
| 封装形式： | TO-252 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 直插式 | |
| 包装方式： | 盒带编带包装 |
乾野电子是中国研发成功并上量销售650V 超结-MOSFET（SJ-MOSFET）的设计公司，目标成为客户全球价值的功率半导体器件与服务供应商。
FNK P沟道增强模式功率MOSFET
描述
FNK5515PK采用先进的沟槽技术和设计提供出色的RDS（ON）低栅极电荷。它可用于各种各样的应用中。
一般特点
●VDS=55V,ID=15A
RDS（ON）<80MΩ@ VGS=-10V
●高密度电池设计超低导通电阻
●全雪崩电压和电流
●良好的散热性能的包装
应用
●电源开关应用
●硬开关和高频电路
●DC-DC转换器
场效应管的测量方法
电阻法测电极
根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个
电极。具体方法：将万用表拨在R×1k档上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。当某两个电极的正、反向电阻值相等，且为几千欧姆时，则该两个电极分别是漏极D和源极S.因为对结型场效应管而言，漏极和源极可互换，剩下的电极肯定是栅极G.也可以将万用表的黑表笔（红表笔也行）任意接触一个电极，另一只表笔依次去接触其余的两个电极，测其电阻值。当出现两次测得的电阻值近似相等时，则黑表笔所接触的电极为栅极，其余两电极分别为漏极和源极。若两次测出的电阻值均很大，说明是PN结的反向，即都是反向电阻，可以判定是N沟道场效应管，且黑表笔接的是栅极；若两次测出的电阻值均很小，说明是正向PN结，即是正向电阻，判定为P沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极。若不出现上述情况，可以调换黑、红表笔按上述方法进行测试，直到判别出栅极为止。
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FNK5515PK|MOSFET
信息内容：乾野电子专注于各产品的应用行业和领域的研究和并达到精通，使产品性能的利用达到化和化。 FNK P沟道增强模式功率MOSFET 描述 FNK5515PK采用先进的沟槽技术和设计提供出色的RDS（ON）低栅极电荷。它可用于各种各样的应用中。 一般特点 ●VDS=55V,ID=15A RDS（ON）<80MΩ@ VGS=-10V ●高密度电池设计超低导通电阻 ●全雪崩电压和电流 ●良好的散热性能的包装 应用 ●电源开关应用 ●硬开关和高频电路 ●DC-DC转换器 从目前的角度来看MOSFET的命名，事实上会让人得到错误的印象。因为MOSFET里代表"metal"的个字母M在当下大部分同类的元件里是不存在的。早期MOSFET的栅极（gate electrode）使用金属作为其材料，但随著半导体技术的进步，随后MOSFET栅极使用多晶硅取代了金属。在处理器中，多晶硅栅已经不是主流技术，从英特尔采用45纳米线宽的P1266处理器开始，栅极开始重新使用金属。 MOSFET在概念上属于"绝缘栅极场效晶体管"（Insulated-Gate Field Effect Transistor,IGFET），而IGFET的栅极绝缘层有可能是其他物质而非MOSFET使用的氧化层。有些人在提到拥...
FNK4050PK|场效应管的管脚识别
信息内容：乾野电子从事各种大功率半导体器件与功率集成器件设计、生产和销售，是中国大功率半导体器件的领航设计与销售企业。 FNK P沟道增强模式功率MOSFET的描述 FNK4050PK采用先进的沟槽技术和设计提供出色的RDS（ON）低栅极电荷，该器件非常适合高电流负载的应用。 一般特点 ●VDS=40V,ID=-50A RDS（ON）<13mΩ@ VGS=-10V ●高密度电池设计超低导通电阻 ●全雪崩电压和电流 ●良好的稳定性和均匀性，高EAS ●良好的散热性能的包装 ●特殊工艺技术，高ESD能力 应用 ●电源开关 ●高电流应用中的负载开关 ●DC/ DC转换器 场效应管的判断方法 结型场管脚识别 场效应管的栅极相当于晶体管的基极，源极和漏极分别对应于晶体管的发射极和集电极。将万用表置于R×1k档，用两表笔分别测量每两个管脚间的正、反向电阻。当某两个管脚间的正、反向电阻相等，均为数KΩ时，则这两个管脚为漏极D和源极S（可互换），余下的一个管脚即为栅极G.对于有4个管脚的结型场效应管，另外一极是屏蔽极（使用中接地）。
