FNK5530PK|常用于MOSFET的电路符号有很多种变化
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | FNK5530PK | |
| 品牌/商标： | FNK | |
| 封装形式： | TO-252 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 直插式 | |
| 包装方式： | 盒带编带包装 |
乾野电子成功的秘诀是利用自身能融汇贯通器件与工艺设计的技术优势，专注与国际的8"芯片代工厂、封装与测试代工厂的紧密合作，通过保证产品在生产和测试过程中的质量控制，确保大批量生产中，产品的持续优质和稳定供货。
FNK P沟道增强模式功率MOSFET
描述
FNK5530PK采用先进的沟槽技术和设计提供出色的RDS（ON）低栅极电荷。它可用于各种各样的应用中。
一般特点
●VDS=55V,ID=-30A
RDS（ON）<40MΩ@ VGS=-10V
●高密度电池设计超低导通电阻
●全雪崩电压和电流
●良好的稳定性和均匀性，高EAS
●良好的散热性能的包装
应用
●电源开关应用
●硬开关和高频电路
●不间断电源
MOSFET的电路符号
常用于MOSFET的电路符号有很多种变化，最常见的设计是以一条直线代表通道，两条和通道垂直的线代表源极与漏极，左方和通道平行而且较短的线代表栅极，如下图所示。有时也会将代表通道的直线以破折线代替，以区分增强型MOSFET（enhancement mode MOSFET）或是耗尽型MOSFET（depletion mode MOSFET）。
由于积体电路芯片上的MOSFET为四端元件，所以除了栅极、源极、漏极外，尚有一基极（Bulk或是Body）。MOSFET电路符号中，从通道往右延伸的箭号方向则可表示此元件为n-type或是p-type的MOSFET.箭头方向永远从P端指向N端，所以箭头从通道指向基极端的为p-type的MOSFET,或简称PMOS（代表此元件的通道为p-type）；反之若箭头从基极指向通道，则代表基极为p-type,而通道为n-type,此元件为n-type的MOSFET,简称NMOS.在一般分布式MOSFET元件（discrete device）中，通常把基极和源极接在一起，故分布式MOSFET通常为三端元件。而在积体电路中的MOSFET通常因为使用同一个基极（common bulk），所以不标示出基极的极性，而在PMOS的栅极端多加一个圆圈以示区别。
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FNK5515PK|场效应管的作用
信息内容：乾野电子在目前（20V-250V）大功率Trench-MOS 器件、（500V-650V）SJ-MOS器件、普通高压MOS器件（600V）已量产与销售， 并取得国内和国际的多项技术。 FNK P沟道增强模式功率MOSFET 描述 FNK5515PK采用先进的沟槽技术和设计提供出色的RDS（ON）低栅极电荷。它可用于各种各样的应用中。 一般特点 ●VDS=55V,ID=15A RDS（ON）<80MΩ@ VGS=-10V ●高密度电池设计超低导通电阻 ●全雪崩电压和电流 ●良好的散热性能的包装 应用 ●电源开关应用 ●硬开关和高频电路 ●DC-DC转换器 场效应管的作用 1.场效应管可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。 2.场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。 3.场效应管可以用作可变电阻。 4.场效应管可以方便地用作恒流源。 5.场效应管可以用作电子开关。
FNK5515PK|MOS管
信息内容：惠州市乾野电子有限公司（简称FNK-TECH） 成立于2003 年，从事各种大功率半导体器件与功率集成器件设计、生产和销售，是中国大功率半导体器件的领航设计与销售企业。 FNK P沟道增强模式功率MOSFET 描述 FNK5515PK采用先进的沟槽技术和设计提供出色的RDS（ON）低栅极电荷。它可用于各种各样的应用中。 一般特点 ●VDS=55V,ID=15A RDS（ON）<80MΩ@ VGS=-10V ●高密度电池设计超低导通电阻 ●全雪崩电压和电流 ●良好的散热性能的包装 应用 ●电源开关应用 ●硬开关和高频电路 ●DC-DC转换器
