FNK30P50G|场效应管的使用优势
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | FNK30P50G | |
| 品牌/商标： | FNK | |
| 封装形式： | 5x6 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 卷带编带包装 |
乾野电子从事各种大功率半导体器件与功率集成器件设计、生产和销售，是中国大功率半导体器件的领航设计与销售企业。
P沟道增强模式功率MOSFET
描述：FNK30P50G采用先进的沟槽技术和设计提供出色的RDS（ON）低栅极电荷。它可用于各种各样的应用中。
一般特点
●VDS=30V,ID=-50A
RDS（ON）<5.5mΩ@ VGS=-10V
●高密度电池设计超低导通电阻
●全雪崩电压和电流
●良好的稳定性和均匀性，高EAS
●良好的散热性能的包装
●特殊工艺技术，高ESD能力
应用
●电池和负载开关
场效应管的使用优势
场效应管是电压控制元件，而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用场效应管；而在信号电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应选用晶体管。
场效应管是利用多数载流子导电，所以称之为单极型器件，而晶体管是即有多数载流子，也利用少数载流子导电，被称之为双极型器件。
有些场效应管的源极和漏极可以互换使用，栅压也可正可负，灵活性比晶体管好。
场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作，而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上，因此场效应管在大规模集成电路中得到了广泛的应用。
- 所属城市：广东 惠州
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FNK30P50G|场效应管的注意事项
信息内容：乾野电子成功的秘诀是利用自身能融汇贯通器件与工艺设计的技术优势，专注与国际的8"芯片代工厂、封装与测试代工厂的紧密合作，通过保证产品在生产和测试过程中的质量控制，确保大批量生产中，产品的持续优质和稳定供货；同时专注于各产品的应用行业和领域的研究和并达到精通，使产品性能的利用达到化和化。 P沟道增强模式功率MOSFET 描述：FNK30P50G采用先进的沟槽技术和设计提供出色的RDS（ON）低栅极电荷。它可用于各种各样的应用中。 一般特点 ●VDS=30V,ID=-50A RDS（ON）<5.5mΩ@ VGS=-10V ●高密度电池设计超低导通电阻 ●全雪崩电压和电流 ●良好的稳定性和均匀性，高EAS ●良好的散热性能的包装 ●特殊工艺技术，高ESD能力 应用 ●电池和负载开关 场效应管的注意事项 （1）为了安全使用场效应管，在线路的设计中不能超过管的耗散功率，漏源电压、栅源电压和电流等参数的极限值。 （2）各类型场效应管在使用时，都要严格按要求的偏置接入电路中，要遵守场效应管偏置的极性。如结型场效应管栅源漏之间是PN结，N沟道管栅极不能加正偏压；...
FNK30P50G|MOS管电池和负载开关应用
信息内容：乾野电子目前的产品（20V-250V）大功率Trench-MOS 器件、（500V-650V）SJ-MOS器件、普通高压MOS器件（600V）已量产与销售， 并取得国内和国际的多项技术。 P沟道增强模式功率MOSFET 描述：FNK30P50G采用先进的沟槽技术和设计提供出色的RDS（ON）低栅极电荷。它可用于各种各样的应用中。 一般特点 ●VDS=30V,ID=-50A RDS（ON）<5.5mΩ@ VGS=-10V ●高密度电池设计超低导通电阻 ●全雪崩电压和电流 ●良好的稳定性和均匀性，高EAS ●良好的散热性能的包装 ●特殊工艺技术，高ESD能力 应用 ●电池和负载开关 MOS管的简介 双极型晶体管把输入端电流的微小变化放大后，在输出端输出一个大的电流变化。双极型晶体管的增益就定义为输出输入电流之比（beta）。另一种晶体管，叫做场效应管（FET），把输入电压的变化转化为输出电流的变化。FET的增益等于它的transconductance, 定义为输出电流的变化和输入电压变化之比。市面上常有的一般为N沟道和P沟道，详情参考右侧图片。而P沟道常见的为低压Mos管。 场效应管的名字也来源于它的输入端（称为gate）通...
