FNK4435|MOS管厂家
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | FNK4435 | |
| 品牌/商标： | FNK | |
| 封装形式： | SOP-8 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 卷带编带包装 |
乾野电子从事各种大功率半导体器件与功率集成器件设计、生产和销售，是中国大功率半导体器件的领航设计与销售企业。
一般特点
●VS=-30V,I =9.1A
RDS<35MΩ@ VGS=-4.5V
RDS<20MΩ@ VGS=-10V
●高功率和电流移交能力
●无铅产品
●表面贴装封装
应用
●电池开关
●负荷开关
●电源管理
mos管是金属（metal）-氧化物（oxid）-半导体（semiconductor）场效应晶体管，或者称是金属-绝缘体（insulator）-半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。
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FNK4435|MOS管价格
信息内容：乾野电子目前的产品（20V-250V）大功率Trench-MOS 器件、（500V-650V）SJ-MOS器件、普通高压MOS器件（600V）已量产与销售， 并取得国内和国际的多项技术。 一般特点 ●VS=-30V,I =9.1A RDS<35MΩ@ VGS=-4.5V RDS<20MΩ@ VGS=-10V ●高功率和电流移交能力 ●无铅产品 ●表面贴装封装 应用 ●电池开关 ●负荷开关 ●电源管理 MOS管的简介 双极型晶体管把输入端电流的微小变化放大后，在输出端输出一个大的电流变化。双极型晶体管的增益就定义为输出输入电流之比（beta）。另一种晶体管，叫做场效应管（FET），把输入电压的变化转化为输出电流的变化。FET的增益等于它的transconductance, 定义为输出电流的变化和输入电压变化之比。市面上常有的一般为N沟道和P沟道，详情参考右侧图片。而P沟道常见的为低压Mos管。
FNK4435|场效应管的工作原理
信息内容：乾野电子是中国研发成功并上量销售650V 超结-MOSFET（SJ-MOSFET）的设计公司，目标成为客户全球价值的功率半导体器件与服务供应商。 一般特点 ●VS=-30V,I =9.1A RDS<35MΩ@ VGS=-4.5V RDS<20MΩ@ VGS=-10V ●高功率和电流移交能力 ●无铅产品 ●表面贴装封装 应用 ●电池开关 ●负荷开关 ●电源管理 场效应管的工作原理 场效应管工作原理用一句话说，就是"漏极-源极间流经沟道的ID,用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制ID".更正确地说，ID流经通路的宽度，即沟道截面积，它是由pn结反偏的变化，产生耗尽层扩展变化控制的缘故。在VGS=0的非饱和区域，表示的过渡层的扩展因为不很大，根据漏极-源极间所加VDS的电场，源极区域的某些电子被漏极拉去，即从漏极向源极有电流ID流动。从门极向漏极扩展的过度层将沟道的一部分构成堵塞型，ID饱和。将这种状态称为夹断。这意味着过渡层将沟道的一部分阻挡，并不是电流被切断。 在过渡层由于没有电子、空穴的自由移动，在理想状态下几乎具有绝缘特性，通常电流也难流动。但是此时漏极-源极间的电场，实际上...
