集成电路的作用 集成电路的作用在电路中起减少元器件的个数和搞高性能、方便应用。 作用一:减少元器件 大家都知道1946年2月14日,世界上台电脑ENIAC在美国宾夕法尼亚大学诞生,名叫ENIAC(爱尼阿克)。当时的元器件共有18800个真空管,长50英尺,宽30英尺, 占地1500平方英尺,重量更夸张,30吨的体重。在当时,根本没有什么集成电路,全部是一个一个的元器件组成的电路,而且还是真空管。后来科技不断进步,研究出了半导体元器件,从而减小了元器件的体积和重量,后来研究出了支集成电路,当然是小规模集成电路,内容元器件少,但相比零散元器件要说,还是有很大的技术提高。随着技术的不断提升和科技不断发达,开发出了中规模集成电路、大规模集成电路、超大规模集成电路等,从而大大降低零散元器件的数量。
三极管的基本结构是两个反向连结的PN结面,如图1所示,可有PNP和NPN两种组合。三个接出来的端点依序称为发射极(emitter,E)、基极(base,B)和集电极(collector,C),名称来源和它们在三极管操作时的功能有关。图中也显示出 NPN与PNP三极管的电路符号,发射极特别被标出,箭号所指的即为n型半导体, 和二极体的符号一致。在没接外加偏压时,两个pn接面都会形成耗尽区,将中性的p型区和n型区隔开。 dzsc/19/4113/19411327.jpg pnp和npn三极管的结构及其示意图 三极管的电特性和两个pn结面的偏压有关,工作区间也依偏压方式来分类,这里 我们先讨论最常用的所谓”正向活性区”(forward active),在此区EB极间的pn结面维持在正向偏压,而BC极间的pn结面则在反向偏压,通常用作放大器的三极管 都以此方式偏压。图2(a)为一PNP三极管在此偏压区的示意图。EB接面的空乏区由于正向偏压会变窄,载体看到的位障变小,射极的空穴会注入到基极,基极的电子也会注入到射极;而BC接面的耗尽区则会变 dzsc/19/4113/19411327.jpg 宽,载体看到的位障变大, 故本身是不导通的。图2(b)画的是没外加偏压,和偏压在正向活性区两种情形下,空穴和电...
薄膜电容 结构和纸介电容相同,介质是涤纶或者聚苯乙烯。涤纶薄膜电容,介电常数较高,体积小,容量大,稳定性较好,适宜做旁路电容。 聚苯乙烯薄膜电容,介质损耗小,绝缘电阻高,但是温度系数大,可用于高频电路。 金属化纸介电容 结构和纸介电容基本相同。它是在电容器纸上覆上一层金属膜来代替金属箔,体积小,容量较大,一般用在低频电路中。 油浸纸介电容 它是把纸介电容浸在经过特别处理的油里,能增强它的耐压。它的特点是电容量 大、耐压高,但是体积较大。 铝电解电容 它是由铝圆筒做负极,里面装有液体电解质,插入一片弯曲的铝带做正极制成。还需要经过直流电压处理,使正极片上形成一层氧化膜做介质。它的特点是容量大,但是漏电大,稳定性差,有正负极性,适宜用于电源滤波或者低频电路中。使用的时候,正负极不要接反。 钽、铌电解电容 它用金属钽或者铌做正极,用稀硫酸等配液做负极,用钽或铌表面生成的氧化膜做介质制成。它的特点是体积小、容量大、性能稳定、寿命长、绝缘电阻大、温度特性好。用在要求较高的设备中。 半可变电容 也叫做微调电容。它是由两片或者两组小型金属弹片,中间夹着介质制成。调节的时候...