FNK4805|场效应管原装现货批发
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | FNK4805 | |
| 品牌/商标： | FNK | |
| 封装形式： | SO-8 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 卷带编带包装 |
乾野电子主营范围：超结MOSFET,中低压MOSFET,高压MOSFET,51单片机系列。
概述
结合先进FNK4805沟槽MOSFET技术提供具有低电阻包极低的RDS（ON）。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
产品综述
VDS -30V
ID（VGS=-10V） - 7.5A
RDS（ON）（VGS=-10V） <23MW
RDS（ON）（在V=-4.5V） <35MW
100%UIS测试
100%的Rg测试
场效应管特点
（1）场效应管是电压控制器件，它通过VGS（栅源电压）来控制ID（漏极电流）；
（2）场效应管的输入端电流极小，因此它的输入电阻很大。
（3）它是利用多数载流子导电，因此它的温度稳定性较好；
（4）它组成的放大电路的电压放大系数要小于三极管组成放大电路的电压放大系数；
（5）场效应管的抗辐射能力强；
（6）由于不存在杂乱运动的少子扩散引起的散粒噪声，所以噪声低。
- 所属城市：广东 惠州
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FNK4805|场效应管原装
信息内容：乾野电子目前的产品（20V-250V）大功率Trench-MOS 器件、（500V-650V）SJ-MOS器件、普通高压MOS器件（600V）已量产与销售， 并取得国内和国际的多项技术。 概述 结合先进FNK4805沟槽MOSFET技术提供具有低电阻包极低的RDS（ON）。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。 产品综述 VDS -30V ID（VGS=-10V） - 7.5A RDS（ON）（VGS=-10V） <23MW RDS（ON）（在V=-4.5V） <35MW 100%UIS测试 100%的Rg测试 场效应管介绍 场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写（FET））简称场效应管。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（10^8~10^9Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
FNK4805|MOS管中低压MOSFET
信息内容：乾野电子是中国研发成功并上量销售650V 超结-MOSFET（SJ-MOSFET）的设计公司，目标成为客户全球价值的功率半导体器件与服务供应商。 MOS管概述 MOS管结合先进FNK4805沟槽MOSFET技术提供具有低电阻包极低的RDS（ON）。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。 MOS管产品综述 VDS -30V ID（VGS=-10V） - 7.5A RDS（ON）（VGS=-10V） <23MW RDS（ON）（在V=-4.5V） <35MW 100%UIS测试 100%的Rg测试 MOS管的介绍 mos管是金属（metal）-氧化物（oxid）-半导体（semiconductor）场效应晶体管，或者称是金属-绝缘体（insulator）-半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。
